[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201110321657.4 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102456742A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 山口直 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件以及制造半导体器件的方法。本发明的半导体器件含有(110)晶面取向硅衬底、和在pMIS区中形成的p沟道型场效应晶体管。该p沟道型场效应晶体管包括：经由栅极绝缘膜布置的栅电极；和源极/漏极区，其在布置在硅衬底中的沟槽的内部布置在栅电极的相反两侧，并包括晶格常数大于Si的SiGe。该沟槽在位于栅电极侧的侧壁部分处具有(100)晶面取向第一斜面和与该第一斜面相交的(100)晶面取向第二斜面。对于该配置，在衬底的表面(110)晶面和(100)晶面之间形成的角度是45°，使得以相对较锐的角度形成第一斜面。这样就可以有效地将压缩应变施加于p沟道型MISFET的沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含(a)具有(110)晶面取向且包括第一半导体的衬底；以及(b)在所述衬底的第一区域中形成的p沟道型场效应晶体管，其含有：(b1)经由栅极绝缘膜布置在所述第一区域上的栅电极；以及(b2)源极/漏极区，其在布置在所述衬底中的沟槽的内部布置在所述栅电极的相反两侧，并且包括晶格常数比所述第一半导体大的第二半导体，所述沟槽在位于所述栅电极侧的侧壁部分处具有：晶面取向为(100)的第一斜面；和与所述第一斜面相交的晶面取向为(100)的第二斜面。
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