[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包含

(a)具有(110)晶面取向且包括第一半导体的衬底；以及

(b)在所述衬底的第一区域中形成的p沟道型场效应晶体管，其含有：(b1)经由栅极绝缘膜布置在所述第一区域上的栅电极；以及(b2)源极/漏极区，其在布置在所述衬底中的沟槽的内部布置在所述栅电极的相反两侧，并且包括晶格常数比所述第一半导体大的第二半导体，

所述沟槽在位于所述栅电极侧的侧壁部分处具有：晶面取向为(100)的第一斜面；和与所述第一斜面相交的晶面取向为(100)的第二斜面。

2.按照权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述源极/漏极区的所述第二半导体含有从所述第一斜面和所述第二斜面外延生长出来的区域。

3.按照权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一半导体是硅(Si)，并且

其中，所述第二半导体是硅锗(SiGe)。

4.按照权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一半导体是硅(Si)，

其中，所述第二半导体是硅锗(SiGe)，并且

其中，所述硅锗的锗浓度是25at％或更高。

5.按照权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一半导体是硅(Si)，

其中，所述第二半导体是硅锗(SiGe)，并且

其中，在所述源极/漏极区中，在所述沟槽的所述侧壁部分处所述硅锗的锗浓度低于其它区域的锗浓度。

6.按照权利要求1所述的半导体器件，

其中，包括所述第二半导体的所述源极/漏极区的顶面每一个是在比栅极绝缘膜的顶面低的位置处形成的。

7.按照权利要求1所述的半导体器件，

其中，在包括所述第二半导体的所述源极/漏极区上，形成所述第一半导体和金属的化合物层。

8.按照权利要求7所述的半导体器件，

其中，所述第一半导体是硅，并且

其中，所述化合物层是金属硅化物层。

9.按照权利要求6所述的半导体器件，

其中，在所述源极/漏极区上，布置着压缩应力膜。

10.按照权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述沟槽是通过干法蚀刻所述衬底，然后各向异性湿法蚀刻所述衬底形成的。

11.按照权利要求1所述的半导体器件，

其中，侧壁膜被布置在所述栅电极的相反两侧，并且

其中，所述第一斜面和所述第二斜面位于所述侧壁膜的下面。

12.按照权利要求11所述的半导体器件，

其中，在所述栅电极的相反两侧的所述衬底中，以及在所述侧壁膜的下面，布置着浓度比所述源极/漏极区低的p型半导体区。

13.按照权利要求1所述的半导体器件，

包含在所述衬底的第二区域中形成并具有包括所述第一半导体的源极/漏极区的n沟道型场效应晶体管。

14.按照权利要求13所述的半导体器件，

其中，所述n沟道型场效应晶体管含有：布置在所述第二区域上的包括高介电常数绝缘膜的第二栅极绝缘膜；和布置在所述第二栅极绝缘膜上的包括金属或金属化合物的第二栅电极。

15.按照权利要求1所述的半导体器件，

包含n沟道型场效应晶体管，其具有在所述衬底的第二区域中形成的源极/漏极区，并且包括晶格常数比所述第一半导体小的第三半导体。

16.按照权利要求15所述的半导体器件，

其中，所述第一半导体是硅(Si)，

其中，所述第二半导体是硅锗(SiGe)，并且

其中，所述第三半导体是碳化硅(SiC)。

17.按照权利要求13所述的半导体器件，

其中，在所述n沟道型场效应晶体管的包括所述第一半导体的所述源极/漏极区上，布置着拉伸应力膜。