[发明专利]镁合金上低温制备高性能硅掺杂类金刚石膜层的方法无效
| 申请号： | 201110319143.5 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102352510A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李庆刚;罗庆丽;罗庆刚 | 申请（专利权）人： | 济南安塞自动化技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04;C23C16/505;C23C22/42;C23C22/07 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王立晓 |
| 地址： | 250021 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及镁合金上低温制备高性能硅掺杂类金刚石膜层的方法，将镁合金材料表面脱脂清洗除油，然后皮膜预处理、钙盐化学转化，再烘干，即将镁合金材料进行无铬表面处理形成化学转化膜；将得到的镁合金材料进行惰性气体流清洗，然后在通入甲烷、硅烷和氢气的真空室中20-60℃温度下化学气相沉积，最后冷却。本发明获得膜层表面致密，与基体结合良好，具有优异的耐腐蚀和低磨损性能，拓宽镁合金材料在承载工程部件的应用，可在在汽车工业、电子通讯、航天航空、武器装备等领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 镁合金 低温 制备 性能 掺杂 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
镁合金上低温制备高性能硅掺杂类金刚石膜层的方法，其特征是，包括步骤如下：(1)将镁合金材料进行无铬表面处理形成化学转化膜：将镁合金材料表面脱脂清洗除油，然后皮膜预处理、钙盐化学转化，再烘干；(2)在化学转化膜上采用射频等离子化学气相沉积法沉积硅掺杂类金刚石薄膜：将步骤(1)得到的镁合金材料进行惰性气体流清洗，然后在通入甲烷、硅烷和氢气的真空室中20‑60℃化学气相沉积，最后冷却。
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