[发明专利]镁合金上低温制备高性能硅掺杂类金刚石膜层的方法

权利要求书

1.镁合金上低温制备高性能硅掺杂类金刚石膜层的方法，其特征是，包括步骤如下：

(1)将镁合金材料进行无铬表面处理形成化学转化膜：将镁合金材料表面脱脂清洗除油，然后皮膜预处理、钙盐化学转化，再烘干；

(2)在化学转化膜上采用射频等离子化学气相沉积法沉积硅掺杂类金刚石薄膜：将步骤(1)得到的镁合金材料进行惰性气体流清洗，然后在通入甲烷、硅烷和氢气的真空室中20-60℃化学气相沉积，最后冷却。

2.根据权利要求1所述的镁合金上低温制备高性能硅掺杂类金刚石膜层的方法，其特征是，步骤(2)所述的真空室通入甲烷、硅烷、氢气的气体流量分别是10～80sccm、5～50sccm、10～60sccm，工作真空度1×10^-4～10×10^-4Pa，入射功率50～500W，工作电压600～1500V，工作电流0.05～10A，自偏压0～-300V，化学气相沉积时间30～100分钟。

3.根据权利要求1所述的镁合金上低温制备高性能硅掺杂类金刚石膜层的方法，其特征是，步骤(2)中惰性气体流清洗，采用真空室内的真空度1×10^-3～10×10^-3Pa，通入99.99％的高纯氩气辉光清洗5～10分钟，气体流量为40～80sccm，清洗功率100～500W。

4.根据权利要求1、2或3所述的镁合金上低温制备高性能硅掺杂类金刚石膜层的方法，其特征是，步骤(1)所述的脱脂清洗除油采用脱脂溶液对镁合金材料表面进行清洗，温度60～70℃，处理时间5～10分钟，其中所述的脱脂溶液组成为：氢氧化钠15～40g/L、磷酸钠40～80g/L、偏硅酸钠15～40g/L、阳离子表面活性剂5～10g/L、余量为水。

5.根据权利要求1、2或3所述的镁合金上低温制备高性能硅掺杂类金刚石膜层的方法，其特征是，步骤(1)所述的皮膜预处理是用皮膜预处理液处理，处理温度室温，时间0.5-5分钟，其中皮膜预处理液组成为乳酸20-50g/L、酒石酸10-50g/L、硼酸5-15g/L、余量水。

6.根据权利要求1、2或3所述的镁合金上低温制备高性能硅掺杂类金刚石膜层的方法，其特征是，步骤(1)所述的钙盐化学转化处理是用钙盐处理液处理，温度20～40℃，处理时间1～5分钟，其中处理液的组成为：氧化钙4-10g/L、磷酸5-15g/L、硝酸钙10-30g/L、苯磺酸钠0.5-3g/L、钼酸钠0.2-2g/L、余量为水；pH值为2～3。