[发明专利]一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容及其制作方法有效
| 申请号： | 201110311539.5 | 申请日： | 2011-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102412313A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容，包括轻掺杂的P型衬底上形成有集电区，所述集中电区上形成有介质层，所述介质层上形成有多晶硅层，其中：所述多晶硅层由接触孔引出作为MOS可变电容的一端，所述轻掺杂的P型衬底上部形成有N型赝埋层连接所述集电区，所述N型赝埋层由深接触孔引出作为MOS可变电容的另一端。本发明还公开了一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容的制作方法。本发明的的MOS可变电容及其制作方法打破了现有SiGe HBT器件结构中没有MOS相关结构的局限，能做为MOS可变电容使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 sige hbt 工艺 mos 可变电容 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容，包括轻掺杂的P型衬底上形成有集电区，所述集中电区上形成有介质层，所述介质层上形成有多晶硅层，其特征是：所述多晶硅层由接触孔引出作为MOS可变电容的一端，所述轻掺杂的P型衬底上部形成有N型赝埋层连接所述集电区，所述N型赝埋层由深接触孔引出作为MOS可变电容的另一端。
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