[发明专利]一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容及其制作方法有效
| 申请号： | 201110311539.5 | 申请日： | 2011-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102412313A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 sige hbt 工艺 mos 可变电容 及其 制作方法 | ||
1.一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容，包括轻掺杂的P型衬底上形成有集电区，所述集中电区上形成有介质层，所述介质层上形成有多晶硅层，其特征是：
所述多晶硅层由接触孔引出作为MOS可变电容的一端，所述轻掺杂的P型衬底上部形成有N型赝埋层连接所述集电区，所述N型赝埋层由深接触孔引出作为MOS可变电容的另一端。
2.如权利要求1所述的MOS可变电容，其特征是：所述多晶硅层注入杂质为磷或砷。
3.如权利要求1所述的MOS可变电容，其特征是：所述集电区注入杂质为磷或砷。
4.如权利要求1所述的MOS可变电容，其特征是：所述介质层厚度为5纳米至30纳米。
5.一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容的制作方法，包括以下步骤：
(1)在轻掺杂的P型衬底刻蚀浅槽用作隔离；
(2)进行N型赝埋层注入；
(3)进行集电区注入；
(4)在集电区上形成氧化层；
(5)在氧化层上形成外延层；
(6)刻蚀去除外延层和氧化层；
(7)在集电区上形成介质层；
(8)沉积多晶硅层；
(9)将多晶硅层利用接触孔引出，将N型赝埋层利用深接触孔引出。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征是：实施步骤(3)时，注入杂质为磷或砷，注入能量为50Kev～500Kev，剂量为5e1lcm-2～5e13cm-2。
7.如权利要求5所述的制作方法，其特征是：实施步骤(7)时，所述介质层厚度为5纳米至30纳米。
8.如权利要求5所述的制作方法，其特征是：实施步骤(8)时，注入杂质为磷或砷，注入能量为50Kev至500Kev，剂量为1e14cm-2至1e17cm-2。
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