[发明专利]一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容。本发明还涉及一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容的制作方法 

背景技术

在射频应用中，随着技术的进步需要越来越高的器件特征频率，RFCMOS(射频互补金属氧化层半导体场效晶体管)虽然在先进的工艺技术中可实现较高频率，但还是难以完全满足射频要求，如很难实现40GHz以上的特征频率，要实现40GHz以上的特征频率其先进工艺的研发成本是非常高。化合物半导体能实现非常高的特征频率器件，但由于材料成本高、尺寸小的缺点，加上大多数化合物半导体有毒，限制了其应用。 

SiGe HBT(硅锗异质结双极晶体管)是常用超高频器件的选择。首先，SiGe HBT利用SiGe(硅锗)与Si(硅)的能带差别，提高发射区的载流子注入效率，增大器件的电流放大倍数；其次，SiGe HBT利用SiGe基区的高掺杂，降低基区电阻，提高特征频率；再次SiGe工艺基本与硅工艺相兼容，目前SiGe HBT已经成为超高频器件的主力军。 

常规的SiGe HBT采用高掺杂的集电区埋层，以降低集电区电阻；采用深槽隔离降低集电区和衬底之间的寄生电容，改善HBT(异质结双极晶体管)的频率特性。目前，此种常规的SiGe HBT器件往往只应用于射频领域，功 能单一。 

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容。打破了现有SiGe HBT器件结构中没有MOS相关结构的局限。本发明还提供了一种采用SiGe HBT工艺的MOS可变电容的制作方法。 

为解决上述技术问题本发明的MOS可变电容，包括轻掺杂的P型衬底上形成有集电区，所述集中电区上形成有介质层，所述介质层上形成有多晶硅层，其中： 

所述多晶硅层由接触孔引出作为MOS可变电容的一端，所述轻掺杂的P型衬底上部形成有N型赝埋层连接所述集电区，所述N型赝埋层由深接触孔引出作为MOS可变电容的另一端。 

所述多晶硅层注入杂质为磷或砷。 

所述集电区注入杂质为磷或砷。 

所述介质层厚度为5纳米至30纳米。 

本发明的MOS可变电容制作方法，包括： 

(1)在轻掺杂的P型衬底刻蚀浅槽用作隔离； 

(2)进行N型赝埋层注入； 

(3)进行集电区注入； 

(4)在集电区上形成氧化层； 

(5)在氧化层上形成外延层； 

(6)刻蚀去除外延层和氧化层； 

(7)在集电区上形成介质层； 

(8)沉积多晶硅层； 

(9)将多晶硅层利用接触孔引出，将N型赝埋层利用深接触孔引出。 

其中，实施步骤(3)时，注入杂质为磷或砷，注入能量为50Kev～500Kev，剂量为5e11cm^-2～5e13cm^-2。 

其中，实施步骤(7)时，所述介质层厚度为5纳米至30纳米。 

其中，实施步骤(8)时，注入杂质为磷或砷，注入能量为50Kev至500Kev，剂量为1e14cm^-2至1e17cm^-2。 

本发明的MOS可变电容及其制作方法，打破了现有SiGe HBT器件结构中没有MOS相关结构的局限，能做为MOS可变电容使用。 

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明： 

图1是一种现有SiGe HBT器件结构示意图。 

图2是本发明的SiGe HBT器件结构示意图。 

图3是本发明的MOS可变电容制作方法示意图(一)，其显示步骤(1)的内容。 

图4是本发明的MOS可变电容制作方法示意图(二)，其显示步骤(2)的内容。 

图5是本发明的MOS可变电容制作方法示意图(三)，其显示步骤(3)的内容。 

图6是本发明的MOS可变电容制作方法示意图(四)，其显示步骤(4)和(5)的内容。 

图7是本发明的MOS可变电容制作方法示意图(五)，其显示步骤(6)和(7)的内容。 

图8是本发明的MOS可变电容制作方法示意图(六)，其显示步骤(8)的内容。 

附图标记说明 

1是浅槽           2是N型赝埋层，