[发明专利]一种提高浮体动态随机存储单元写入速度的方法及结构

摘要

本发明公开了一种提高浮体动态随机存储单元写入速度的方法，在一衬底上制作半导体器件，其中，还包括以下步骤：以一定的倾斜于漏区的角度，向所述侧墙薄膜层中注入离子；刻蚀所述侧墙，刻蚀后，靠近源端的所述侧墙宽度大于靠近漏端的所述侧墙的宽度；对所述半导体器件进行掺杂并进行退火，在所述衬底中形成源极、漏极以及沟道。本发明还公开了一种提高浮体动态随机存储单元写入速度的结构，包括一衬底，栅极，浅沟隔离槽；在所述栅极侧壁上覆盖一层侧墙，所述侧墙包括源端侧墙和漏端侧墙，并且所述源端侧墙宽度大于所述漏端侧墙的宽度；在所述衬底中形成源极、漏极以及沟道，所述漏极的掺杂离子比所述源极的掺杂离子更靠近沟道。

主权项

一种提高浮体动态随机存储单元写入速度的方法，在一衬底上制作半导体器件，包括以下步骤：在所述衬底上制备栅极、浅沟隔离槽；进行轻掺杂漏极注入，在栅极两侧形成轻掺杂源漏区域；    沉积一层薄膜，形成一层侧墙薄膜层；其特征在于，还包括以下步骤：以一定的倾斜于漏区的角度α，向所述侧墙薄膜层中注入离子，形成具有一定掺杂浓度的侧墙薄膜层；刻蚀所述侧墙薄膜层，刻蚀停止在所述栅极结构的顶部和所述衬底上，刻蚀后，靠近源端的所述侧墙宽度大于靠近漏端的所述侧墙的宽度；对所述半导体器件进行掺杂工艺并进行退火工艺，在所述衬底中形成源极、漏极以及沟道。