[发明专利]FINFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201110307170.0 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102446974A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 林宏达;傅竹韵;黄信烨;杨淑婷;陈宏铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开关于一种鳍片场效应晶体管(FinFET)。FinFET的示例性结构包括具有顶面的基板；在基板顶面上并具有锥形顶面的第一绝缘区域和第二绝缘区域；延伸在第一和第二绝缘区域之间的基板顶面上的基板的鳍片，其中鳍片包括凹陷部分，其具有低于第一和第二绝缘区域的锥形顶面的顶面，其中鳍片包括非凹陷部分，其具有高于所述锥形顶面的顶面；和在所述鳍片的非凹陷部分上的栅极堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍片场效应晶体管(FinFET)，包括：基板，包含顶面；第一绝缘区域和第二绝缘区域，在所述基板顶表面上且包含锥形顶表面；所述基板的鳍片，延伸在所述第一和第二绝缘区域之间的所述基板顶面上，其中所述鳍片包括凹陷部分，所述凹陷部分的顶面低于所述第一和第二绝缘区域的所述锥形顶面，其中所述鳍片包括非凹陷部分，所述非凹陷部分的顶面高于所述锥形顶面；以及栅极堆叠，其在所述鳍片的所述非凹陷部分上。
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