[发明专利]FINFET及其制造方法有效
| 申请号： | 201110307170.0 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102446974A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 林宏达;傅竹韵;黄信烨;杨淑婷;陈宏铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | finfet 及其 制造 方法 | ||
1.一种鳍片场效应晶体管(FinFET)，包括：
基板，包含顶面；
第一绝缘区域和第二绝缘区域，在所述基板顶表面上且包含锥形顶表面；
所述基板的鳍片，延伸在所述第一和第二绝缘区域之间的所述基板顶面上，其中所述鳍片包括凹陷部分，所述凹陷部分的顶面低于所述第一和第二绝缘区域的所述锥形顶面，其中所述鳍片包括非凹陷部分，所述非凹陷部分的顶面高于所述锥形顶面；以及
栅极堆叠，其在所述鳍片的所述非凹陷部分上。
2.根据权利要求1所述的FinFET，其中所述锥形顶面包括平坦部分和锥形侧壁。
3.根据权利要求2所述的FinFET，其中所述平坦部分的宽度与所述第一绝缘区域的最大宽度的比率为0.05到0.95。
4.根据权利要求1所述的FinFET，其中所述锥形顶面包括弧形顶部。
5.根据权利要求1所述的FinFET，其中所述锥形顶面包括在所述锥形顶面中间的最高点。
6.根据权利要求1所述的FinFET，其中所述锥形顶面的最低点和所述基板的所述顶面的距离在100到200nm的范围内。
7.根据权利要求1所述的FinFET，其中所述第一绝缘区域还包括在栅极堆叠下的具有平坦顶面的部分。
8.根据权利要求7所述的FinFET，其中所述锥形顶面的平坦部分的宽度小于所述平坦顶面的最大宽度。
9.根据权利要求7所述的FinFET，其中所述平坦顶面与所述锥形顶面的最高点共平面。
10.一种制造鳍片场效应晶体管(FinFET)的方法，包括：
提供基板，所述基板具有分别包括顶面的第一绝缘区域和第二绝缘区域的，和介于所述第一和第二绝缘区域之间的鳍片，其中所述第一和第二绝缘区域的所述顶面低于所述鳍片的顶面；
在一部分所述鳍片和一部分所述第一和第二绝缘区域上方形成栅极堆叠；
凹陷一部分未被所述栅极堆叠覆盖的所述鳍片，从而形成所述鳍片的凹陷部分低于所述第一和第二绝缘区域的顶面；
蚀刻未被所述栅极堆叠覆盖的所述第一和第二绝缘区域的顶面的拐角从而形成所述第一和第二绝缘区域的锥形顶面；以及
在所述鳍片的所述凹陷部分和所述第一和第二绝缘区域的所述锥形顶面上选择性地生长应变材料。
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