[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，涉及显示技术领域，提高了TFT半导体有源层的载流子迁移率。该TFT阵列基板制造方法，包括：在基板上形成石墨烯层，通过第一次构图工艺处理及氢化处理，得到由石墨烯构成的半导体有源层；在石墨烯层上得到源极、漏极；得到位于半导体有源层上方的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅极；之后形成保护层、源极引线、漏极引线、像素电极和数据线；再形成钝化层。本发明用于TFT阵列基板的制造。

主权项

一种TFT阵列基板制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成石墨烯层，通过第一次构图工艺处理及氢化处理，得到由石墨烯构成的半导体有源层；在所述石墨烯层上通过第二次构图工艺处理得到源极、漏极；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触；在所述源极、半导体有源层、漏极上涂覆绝缘层，通过第三次构图工艺处理得到位于所述半导体有源层上方的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成金属层，通过第四次构图工艺处理得到位于所述半导体有源层上方的栅极；在所述基板上形成保护层，通过第五次构图工艺处理得到位于所述源极上方的第一过孔，以及位于所述漏极上方的第二过孔，露出所述源极、漏极；在所述保护层上沉积氧化铟锡或石墨烯层，通过第六次构图工艺处理形成源极引线、漏极引线、像素电极和数据线；其中所述源极引线通过所述第一过孔与所述源极连接；所述漏极引线一端通过所述第二过孔与所述漏极连接，另一端与所述像素电极连接。