[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成石墨烯层，通过第一次构图工艺处理及氢化处理，得到由石墨烯构成的半导体有源层；

在所述石墨烯层上通过第二次构图工艺处理得到源极、漏极；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触；

在所述源极、半导体有源层、漏极上涂覆绝缘层，通过第三次构图工艺处理得到位于所述半导体有源层上方的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成金属层，通过第四次构图工艺处理得到位于所述半导体有源层上方的栅极；

在所述基板上形成保护层，通过第五次构图工艺处理得到位于所述源极上方的第一过孔，以及位于所述漏极上方的第二过孔，露出所述源极、漏极；

在所述保护层上沉积氧化铟锡或石墨烯层，通过第六次构图工艺处理形成源极引线、漏极引线、像素电极和数据线；其中所述源极引线通过所述第一过孔与所述源极连接；所述漏极引线一端通过所述第二过孔与所述漏极连接，另一端与所述像素电极连接。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板制造方法，其特征在于，还包括：

在所述数据线、像素电极、源极引线、漏极引线上形成钝化层，通过第七次构图工艺处理露出所述像素电极；

在所述钝化层上方形成电致发光层，所述电致发光层与所述像素电极接触；

在所述电致发光层上方形成金属阴极。

3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板制造方法，其特征在于，在基板上形成石墨烯层，通过第一次构图工艺处理及氢化处理，得到由石墨烯构成的半导体有源层包括：

在基板上利用等离子体增强化学气相沉积法沉积一层石墨烯材料，或者旋涂一层水溶性单层或多层石墨烯材料；

在所述石墨烯材料上涂覆光刻胶，经过曝光、显影后露出沟道区的石墨烯；

利用H₂，或H₂和Ar₂的混合气体对所述沟道区的石墨烯进行氢化处理；

剥离掉剩余的光刻胶，得到由石墨烯构成的半导体有源层。

4.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

所述基板上形成有由石墨烯形成的源极、漏极和半导体有源层；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触；

所述半导体有源层上形成有栅绝缘层；

所述栅绝缘层上形成有栅极；

所述源极、漏极和栅极上方形成有保护层；所述保护层上形成有露出所述源极的第一过孔，和露出所述漏极的第二过孔；

所述保护层上方形成有数据线、像素电极，以及通过所述第一过孔与所述源极、数据线连接的源极引线，和通过所述第二过孔与所述漏极、像素电极连接的漏极引线。

5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括：

所述数据线、像素电极、源极引线、漏极引线上方形成有钝化层；

所述钝化层上方形成有电致发光层，所述电致发光层与所述像素电极连接；

所述电致发光层上方形成有金属阴极。

6.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体有源层的石墨烯为经过氢化处理后的石墨烯层。

7.根据权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述数据线、像素电极、源极引线、漏极引线由氧化铟锡或石墨烯构成。

8.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4～7所述的TFT阵列基板。