[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置。

背景技术

AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管显示面板)是利用设置在电致发光片上下的两片电极产生的电流强度的变化，改变电致发光层的发光效果，从而控制发光来改变显示图像的。一般来讲，一块完整的AMOLED显示面板包括OLED构件和TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列。其中，TFT开关包括栅极、源极、漏极和有源层；栅电极连接OLED的金属电极，源电极连接数据线，漏电极连接OLED像素电极，有源层形成在源电极和漏电极与栅电极之间。

现行的AMOLED TFT制造工艺其多采用LTPS(低温多晶硅)工艺来实现高速的TFT半导体有源层，但是由于LTPS多采用ELA(准分子退火)技术制备，这样制备的TFT的均匀性和特性往往有很大差异，半导体有源层的载流子迁移率较低。AMOLED中的TFT阵列基板也可以用于普通的液晶面板中，如何提高TFT的均匀性和其半导体有源层的载流子迁移率问题，是TFT阵列基板制造面临的重要问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，提高了TFT半导体有源层的载流子迁移率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种TFT阵列基板制造方法，包括：

在基板上形成石墨烯层，通过第一次构图工艺处理及氢化处理，得到由石墨烯构成的半导体有源层；

在所述石墨烯层上通过第二次构图工艺处理得到源极、漏极；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触；

在所述源极、半导体有源层、漏极上涂覆绝缘层，通过第三次构图工艺处理得到位于所述半导体有源层上方的栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成金属层，通过第四次构图工艺处理得到位于所述半导体有源层上方的栅极；

在所述基板上形成保护层，通过第五次构图工艺处理得到位于所述源极上方的第一过孔，以及位于所述漏极上方的第二过孔，露出所述源极、漏极；

在所述保护层上沉积氧化铟锡或石墨烯层，通过第六次构图工艺处理形成源极引线、漏极引线、像素电极和数据线；其中所述源极引线通过所述第一过孔与所述源极连接；所述漏极引线一端通过所述第二过孔与所述漏极连接，另一端与所述像素电极连接。

进一步地，还包括：

在所述数据线、像素电极、源极引线、漏极引线上形成钝化层，通过第七次构图工艺处理露出所述像素电极；

在所述钝化层上方形成电致发光层，所述电致发光层与所述像素电极连接；

在所述电致发光层上方形成金属阴极。

另一方面，提供一种TFT阵列基板，包括：

基板；

所述基板上形成有由石墨烯形成的源极、漏极和半导体有源层；其中，所述源极与所述半导体有源层相接触，所述漏极与所述半导体有源层相接触；

所述半导体有源层上形成有栅绝缘层；

所述栅绝缘层上形成有栅极；

所述源极、漏极和栅极上方形成有保护层；所述保护层上形成有露出所述源极的第一过孔，和露出所述漏极的第二过孔；

所述保护层上方形成有数据线、像素电极，以及通过所述第一过孔与所述源极、数据线连接的源极引线，和通过所述第二过孔与所述漏极、像素电极连接的漏极引线。

进一步地，还包括：

所述数据线、像素电极、源极引线、漏极引线上方形成有钝化层；

所述钝化层上方形成有电致发光层，所述电致发光层与所述像素电极连接；

所述电致发光层上方形成有金属阴极。

再一方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述的TFT阵列基板。

本发明实施例提供的TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，采用氢化石墨烯作为TFT的半导体层有源层，提高了载流子迁移率，进而提高像素电极充电率，减少了响应时间。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的TFT阵列基板制造方法的流程示意图；