[发明专利]半导体制作工艺在审
| 申请号： | 201110293384.7 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103035517A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 林建良;蔡世鸿;林俊贤;孙德霖;王韶韦;颜英伟;王俞仁 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体制作工艺，其包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，形成至少一鳍状结构于基底上及一氧化层于鳍状结构以外的基底上。而后，进行一热处理制作工艺，以使至少部分鳍状结构的侧壁形成为一熔融层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体制作工艺，包含有：提供一基底；形成至少一鳍状结构于该基底上及一氧化层于该鳍状结构以外的该基底上；以及进行一热处理制作工艺，以于至少部分该鳍状结构的侧壁形成一熔融层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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