[发明专利]半导体制作工艺

权利要求书

1.一种半导体制作工艺，包含有：

提供一基底；

形成至少一鳍状结构于该基底上及一氧化层于该鳍状结构以外的该基底上；以及

进行一热处理制作工艺，以于至少部分该鳍状结构的侧壁形成一熔融层。

2.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中该基底包含一块状基底或一硅覆绝缘基底。

3.如权利要求2所述的半导体制作工艺，其中形成该鳍状结构于该块状基底的步骤，包含：

形成一掩模层于该块状基底上；以及

进行一蚀刻光刻制作工艺，以图案化该掩模层并以该掩模层为一硬掩模，形成至少一鳍状结构。

4.如权利要求2所述的半导体制作工艺，其中该硅覆绝缘基底，包含：

硅基底；

底氧化层位于该硅基底上；以及

硅层位于该底氧化层上。

5.如权利要求4所述的半导体制作工艺，其中形成该鳍状结构的步骤，包含：

图案化该硅层以形成该鳍状结构，并暴露出部分该底氧化层，于该鳍状结构以外的该基底上。

6.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中该热处理制作工艺的制作工艺温度大于1200℃。

7.如权利要求6所述的半导体制作工艺，其中该热处理制作工艺的制作工艺温度大于1300℃。

8.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中该热处理制作工艺包含一激光热处理制作工艺。

9.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中在进行该热处理制作工艺之后，还包含移除部分该氧化层。

10.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中在进行该热处理制作工艺之前，还包含移除部分该氧化层，并暴露出部分该鳍状结构的侧壁。

11.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中在形成该氧化层之后，还包含：

进行一热退火制作工艺，以致密化该氧化层。

12.如权利要求11所述的半导体制作工艺，其中该热退火制作工艺的制作工艺温度约1050℃。

13.一种半导体制作工艺，包含有：

提供一块状基底；

形成一掩模层于该块状基底上；

图案化该掩模层并以该掩模层为一硬掩模，形成至少一鳍状结构；

形成一氧化层于该鳍状结构以外的该块状基底上；以及

进行一大于1200℃的热处理制作工艺，以于至少部分该鳍状结构的侧壁形成一熔融层。

14.如权利要求13所述的半导体制作工艺，其中该块状基底包含一块状硅基底或一块状含硅基底。

15.如权利要求13所述的半导体制作工艺，其中该热处理制作工艺的制作工艺温度大于1300℃。

16.如权利要求13所述的半导体制作工艺，其中该热处理制作工艺包含一激光热处理制作工艺。

17.如权利要求13所述的半导体制作工艺，其中在进行该热处理制作工艺之后，还包含移除部分该氧化层，并暴露出部分该鳍状结构的侧壁。

18.如权利要求13所述的半导体制作工艺，其中在进行该热处理制作工艺之前，还包含移除部分该氧化层，并暴露出部分该鳍状结构的侧壁。

19.如权利要求13所述的半导体制作工艺，其中在形成该氧化层之后，还包含：

进行一热退火制作工艺，以致密化该氧化层。

20.一种半导体制作工艺，包含有：

提供一硅覆绝缘基底，包含一硅基底、一底氧化层位于该硅基底上以及一硅层位于该底氧化层上；

形成一掩模层于该硅层上；

进行一蚀刻光刻制作工艺，以图案化该掩模层并以该掩模层为一硬掩模，以使该硅层形成至少一鳍状结构，同时暴露出部分该底氧化层，于该鳍状结构以外的该硅覆绝缘基底上；以及

进行一大于1200℃的热处理制作工艺，以于至少部分该鳍状结构的侧壁形成一熔融层。

21.如权利要求20所述的半导体制作工艺，其中该热处理制作工艺的制作工艺温度大于1300℃。

22.如权利要求20所述的半导体制作工艺，其中该热处理制作工艺包含一激光热处理制作工艺。