[发明专利]一种电极固定结构无效
| 申请号： | 201110287764.X | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102306602A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 席峰;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电极固定结构，属于等离子体刻蚀技术领域。所述电极固定结构为台阶式固定结构。台阶式固定结构内电极之间的距离为5～200mm。台阶式固定结构内电极施加的射频电源的频率为0～10GHz。台阶式固定结构由绝缘材料制成，绝缘材料为聚四氟、陶瓷、聚碳酸酯或石英。台阶式固定结构的厚度为5～30mm。台阶式固定结构用于固定安装金属电极，金属电极为铜、石墨、钼或镀锌铝。本发明的电极固定结构可以减小或避免等离子体启辉由于结构不对称引起的不均匀现象的出现；在等离子体启辉条件下，本发明的电极固定结构没有放气现象，可以保持真空腔室对真空度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 固定 结构 | ||
【主权项】：
一种电极固定结构，其特征在于，所述电极固定结构为台阶式固定结构。
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