[发明专利]一种电极固定结构无效
申请号: | 201110287764.X | 申请日: | 2011-09-26 |
公开(公告)号: | CN102306602A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 席峰;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电极 固定 结构 | ||
技术领域
本发明涉及等离子体刻蚀技术领域,特别涉及一种电极固定结构。
背景技术
在等离子体刻蚀工艺中所用的电极具有多种形式,选择合理可靠的电极固定形式,对于等离子工艺的稳定性有着重要的作用。平板电极是等离子刻蚀、沉积等工艺中常用的电极形式,该平板电极11通过采用如图1所示的周边多点方式进行固定,平板电极11由电极固定周边孔12通过螺栓固定悬挂在工艺腔室的上端。但是,这种电极固定结构在螺栓固定周边孔边缘容易出现等离子体不均匀现象,并且这种结构物理特性的场对称性比较差,容易产生分段循环的或间距不等的波动的物理场,例如热场、流场或电磁场等等,从而影响等离子体工艺的均匀性与可靠性。
发明内容
为了解决现有等离子体电极固定结构引起的等离子体不均匀问题,本发明提供了一种电极固定结构,所述电极固定结构为台阶式固定结构。
所述台阶式固定结构内电极之间的距离为5~200mm。
所述台阶式固定结构内电极施加的射频电源的频率为0~10GHz。
所述台阶式固定结构由绝缘材料制成。
所述绝缘材料为聚四氟、陶瓷、聚碳酸酯或石英。
所述台阶式固定结构的厚度为5~30mm。
所述台阶式固定结构用于固定安装金属电极。
所述金属电极为铜、石墨、钼或镀锌铝。
本发明的电极固定结构可以减小或避免等离子体启辉由于结构不对称引起的不均匀现象的出现;在等离子体启辉条件下,本发明的电极固定结构没有放气现象,可以保持真空腔室对真空度的要求。
附图说明
图1是现有技术平板电极多点固定结构示意图;
图2是本发明实施例提供的对称的电极固定结构示意图;
图3是使用本发明实施例的电极固定结构的等离子结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明技术方案作进一步描述。
如图2所示,本发明实施例提供了一种电极固定结构22,该电极固定结构22为台阶式固定结构。台阶式固定结构内电极21之间的距离为5~200mm。台阶式固定结构22内电极21施加的射频电源的频率为0~10GHz。台阶式固定结构22由绝缘材料制成,绝缘材料可以但不限于聚四氟、陶瓷、聚碳酸酯或石英等。台阶式固定结构的厚度为5~30mm。台阶式固定结构可以用于固定安装金属电极,金属电极可以但不限于铜、石墨、钼或镀锌铝等。
图3是使用本发明实施例的电极固定结构的等离子结构示意图,电极31通过支撑32固定在等离子体腔室35的上端,固定连接的部分在支撑的位置,避开了等离子体启辉的范围,且支撑32的材料选用非金属,不会对等离子体的分布造成影响。因此,使用该种电极固定结构可以提高等离子体的均匀一致性,从而改善了等离子体33对载片台34上所处理芯片的工艺效果。
本发明实施例的电极固定结构可以减小或避免等离子体启辉由于结构不对称引起的不均匀现象的出现;在等离子体启辉条件下,本发明实施例的电极固定结构没有放气现象,可以保持真空腔室对真空度的要求;在电场内部,保持电极固定结构的物理结构的对称性,从而使其物理特性保持场对称性,从而有效提高了等离子体工艺的均匀一致性。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
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