[发明专利]一种电极固定结构无效
| 申请号： | 201110287764.X | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102306602A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 席峰;李勇滔;李楠;张庆钊;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电极 固定 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种电极固定结构，其特征在于，所述电极固定结构为台阶式固定结构。
2.如权利要求1所述的电极固定结构，其特征在于，所述台阶式固定结构内电极之间的距离为5～200mm。
3.如权利要求1所述的电极固定结构，其特征在于，所述台阶式固定结构内电极施加的射频电源的频率为0～10GHz。
4.如权利要求1所述的电极固定结构，其特征在于，所述台阶式固定结构由绝缘材料制成。
5.如权利要求4所述的电极固定结构，其特征在于，所述绝缘材料为聚四氟、陶瓷、聚碳酸酯或石英。
6.如权利要求1所述的电极固定结构，其特征在于，所述台阶式固定结构的厚度为5～30mm。
7.如权利要求1所述的电极固定结构，其特征在于，所述台阶式固定结构用于固定安装金属电极。
8.如权利要求7所述的电极固定结构，其特征在于，所述金属电极为铜、石墨、钼或镀锌铝。
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