[发明专利]一种金刚石的制备方法有效
| 申请号： | 201110287391.6 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102304697A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 饶志鹏;万军;夏洋;李超波;刘键;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种用原子层沉积设备制备金刚石的方法。所述制备方法，具体包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；通过载气运输方式将含碳前驱体输送至所述原子层沉积设备反应腔中；通过等离子体放电，使得含碳前驱体中的碳原子在硅衬底上积累，自发形成金刚石结构。本发明利用原子层沉积设备和常见的碳源就可以在低温低压下制备出金刚石，并且可以控制金刚石的杂质含量和结构的完整性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金刚石的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；通过载气运输方式将含碳前驱体输送至所述原子层沉积设备反应腔中；通过等离子体放电，使得含碳前驱体中的碳原子在硅衬底上积累，自发形成金刚石结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110287391.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：纳米竹茶刷丝及其制备方法
- 下一篇：低碳深冲冷轧钢板的生产方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
