[发明专利]一种金刚石的制备方法有效
| 申请号: | 201110287391.6 | 申请日: | 2011-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN102304697A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
| 发明(设计)人: | 饶志鹏;万军;夏洋;李超波;刘键;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
| 地址: | 100029 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 金刚石 制备 方法 | ||
1.一种金刚石的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;
通过载气运输方式将含碳前驱体输送至所述原子层沉积设备反应腔中;
通过等离子体放电,使得含碳前驱体中的碳原子在硅衬底上积累,自发形成金刚石结构。
2.如权利要求1所述的金刚石的制备方法,其特征在于,所述将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中的步骤之前还包括:所述硅衬底的表面经过标准液清洗。
3.如权利要求1所述的金刚石的制备方法,其特征在于,所述载气为氢气。
4.如权利要求1所述的金刚石的制备方法,其特征在于,所述载气的流量为20sccm-100sccm。
5.如权利要求1所述的金刚石的制备方法,其特征在于,所述含碳前驱体为甲烷、乙烯、乙炔、四氯化碳、四溴化碳、二氯甲烷。
6.如权利要求1所述的金刚石的制备方法,其特征在于,所述含碳前驱体的流量为1sccm-10sccm。
7.如权利要求1所述的金刚石的制备方法,其特征在于,所述载气与所述含碳前驱体的体积比为40:1-20:1。
8.如权利要求1所述的金刚石的制备方法,其特征在于,所述等离子体放电过程中,等离子体功率为20W-150W。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





