[发明专利]薄膜场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜场效应晶体管，包括第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层、欧姆接触层、第二绝缘层、第二导电层、保护层以及透明导电层。本发明还涉及一种薄膜场效应晶体管的制作方法。本发明的薄膜场效应晶体管以及制作方法采用3次光刻工序即可完成整个TFT的制作，节约TFT的制作成本以及节省TFT的制作时间。

主权项

一种薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：S10、形成第一分层结构于基板上，所述第一分层结构从下到上依次为第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层以及欧姆接触层；S20、沉积第一光阻层，以进行图形化处理；S30、沉积第二绝缘层，并对所述第一光阻层进行去光阻处理，同时移除所述第二绝缘层，且在所述薄膜场效应晶体管的位置上露出所述欧姆接触层；S40、依次沉积第二导电层和保护层；S50、沉积第二光阻层，并使用半透性光刻板进行图形化处理；S60、沉积透明电极层及第三光阻层，对所述透明电极层进行图形化处理。