[发明专利]薄膜场效应晶体管及其制作方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体制作领域，特别是涉及一种可以减少光刻次数的薄膜场效应晶体管以及制作方法。

【背景技术】

薄膜场效应晶体管(TFT，thin film transistor)已大量应用于液晶显示器的制造中。在一般的TFT制程中，共有5道工序，每一道工序都需要经过上光阻、曝光、显影、腐蚀以及剥离，经过上述5次重复的工序就可以完成整个TFT的制作。但在这些工序中，上光阻、曝光以及显影工序所需要耗费的时间较长，为整个TFT制作过程的瓶颈，并且曝光工序中曝光机以及光刻板等部件耗费成本较高。因此5道重复的上光阻、曝光、显影、腐蚀以及剥离的工序大大增加了TFT的制作成本以及制作时间。

故，有必要提供一种薄膜场效应晶体管以及制作方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明提供一种采用3次光刻工序即可完成整个TFT的制作，节约TFT的制作成本以及节省TFT的制作时间的薄膜场效应晶体管以及制作方法。以解决现有技术的薄膜场效应晶体管以及制作方法采用5次光刻工序完成整个TFT的制作造成TFT的制作成本的增加以及制作时间的延长的技术问题。

本发明构造了一种薄膜场效应晶体管的制作方法，其中包括步骤：S10、形成第一分层结构于基板上，所述第一分层结构从下到上依次为第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层以及欧姆接触层；S20、沉积第一光阻层，以进行图形化处理；S30、沉积第二绝缘层，并对所述第一光阻层进行去光阻处理，同时移除所述第二绝缘层，且在所述薄膜场效应晶体管的位置上露出所述欧姆接触层；S40、依次沉积第二导电层和保护层；S50、沉积第二光阻层，并使用半透性光刻板进行图形化处理；S60、沉积透明电极层及第三光阻层，对所述透明电极层进行图形化处理。

在本发明的薄膜场效应晶体管的制作方法中，在步骤S50的所述图形化处理中，在所述薄膜场效应晶体管的通道的位置露出非晶硅层，并使所述第二导电层形成所述薄膜场效应晶体管的源极层以及漏极层。

在本发明的薄膜场效应晶体管的制作方法中，在步骤S60的所述图形化处理中，所述透明电极层与所述漏极层的侧壁或所述源极层的侧壁连接。

在本发明的薄膜场效应晶体管的制作方法中，所述步骤S10还包括：形成第二分层结构于基板上，所述第二分层结构从下到上依次为第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层以及欧姆接触层。

在本发明的薄膜场效应晶体管的制作方法中，所述步骤S20还包括：在所述第二分层结构上沉积第一光阻层，并使用半透性光刻板对所述第二分层结构上的所述第一光阻层进行图形化处理。

在本发明的薄膜场效应晶体管的制作方法中，在步骤S20的所述图形化中：将所述第二分层结构上的所述第一绝缘层露出。

在本发明的薄膜场效应晶体管的制作方法中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为氮化硅。

在本发明的薄膜场效应晶体管的制作方法中，所述透明电极层为氧化锡铟层。

本发明的另一个目的在于提供一种薄膜场效应晶体管，其中包括：基板，以及从下向上依次形成在所述基板上的第一导电层，第一绝缘层，非晶硅层，欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述非晶硅层上相互分离的第一区域和第二区域；第二绝缘层，位于所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述非晶硅层及所述欧姆接触层的侧边；第二导电层，包括源极层以及漏极层，所述源极层与所述第一区域的欧姆接触层连接，所述漏极层与所述第二区域的欧姆接触层连接；保护层：位于所述源极层以及所述漏极层上；以及透明导电层：位于所述保护层及所述第二绝缘层上，并与所述源极层或所述漏极层电性连接。