[发明专利]薄膜场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：

S10、形成第一分层结构于基板上，所述第一分层结构从下到上依次为第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层以及欧姆接触层；

S20、沉积第一光阻层，以进行图形化处理；

S30、沉积第二绝缘层，并对所述第一光阻层进行去光阻处理，同时移除所述第二绝缘层，且在所述薄膜场效应晶体管的位置上露出所述欧姆接触层；

S40、依次沉积第二导电层和保护层；

S50、沉积第二光阻层，并使用半透性光刻板进行图形化处理；

S60、沉积透明电极层及第三光阻层，对所述透明电极层进行图形化处理。

2.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在步骤S50的所述图形化处理中，在所述薄膜场效应晶体管的通道的位置露出非晶硅层，并使所述第二导电层形成所述薄膜场效应晶体管的源极层以及漏极层。

3.根据权利要求2所述的薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在步骤S60的所述图形化处理中，所述透明电极层与所述漏极层的侧壁或所述源极层的侧壁连接。

4.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤S10还包括：

形成第二分层结构于所述基板上，所述第二分层结构从下到上依次为第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层以及欧姆接触层。

5.根据权利要求4所述的薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤S20还包括：

在所述第二分层结构上沉积第一光阻层，并使用半透性光刻板对所述第二分层结构上的所述第一光阻层进行图形化处理。

6.根据权利要求5所述的薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在步骤S20的所述图形化中：

将所述第二分层结构上的所述第一绝缘层露出。

7.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为氮化硅。

8.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述透明电极层为氧化锡铟层。

9.一种薄膜场效应晶体管，其特征在于，包括：

基板，以及

从下向上依次形成在所述基板上的第一导电层，第一绝缘层，非晶硅层，

欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述非晶硅层上相互分离的第一区域和第二区域；

第二绝缘层，位于所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述非晶硅层及所述欧姆接触层的侧边；

第二导电层，包括源极层以及漏极层，所述源极层与所述第一区域的欧姆接触层连接，所述漏极层与所述第二区域的欧姆接触层连接；

保护层：位于所述源极层以及所述漏极层上；以及

透明导电层：位于所述保护层及所述第二绝缘层上，并与所述源极层或所述漏极层电性连接。

10.一种薄膜场效应晶体管，其特征在于，

包括具有第一分层区域以及第二分层区域的基板，

所述薄膜场效应晶体管还包括：

从下向上依次形成在所述第一分层区域上的第一导电层，第一绝缘层，非晶硅层，

欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述非晶硅层上相互分离的第一区域和第二区域；

第二绝缘层，位于所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述非晶硅层及所述欧姆接触层的侧边；

第二导电层，包括源极层以及漏极层，所述源极层与所述第一区域的欧姆接触层连接，所述漏极层与所述第二区域的欧姆接触层连接；

保护层：位于所述源极层以及所述漏极层上；以及

透明导电层：位于所述保护层及所述第二绝缘层上，并与所述源极层或所述漏极层电性连接；

所述薄膜场效应晶体管还包括：

从下向上依次形成在所述第二分层区域上的所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述透明导电层。