[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110276313.6 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102412220A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 右田达夫;江泽弘和;山下创一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘薇;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具备多个焊料凸起，其在半导体基板上以小于等于40μm的节距并列的多个电极衬垫上经由凸起下金属分别与相应的电极衬垫电连接。上述焊料凸起的距离上述半导体基板最远的部分的直径和该焊料凸起的底边的直径的比值是1∶1～1∶4。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：多个焊料凸起，其在半导体基板上以小于等于40μm的节距并列的多个电极衬垫上经由凸起下金属分别与相应的电极衬垫电连接；其中，上述焊料凸起的距离上述半导体基板最远的部分的直径(顶部直径)与该焊料凸起的底边的直径(底部直径)的比值是1∶1～1∶4。
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