[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110276313.6 | 申请日： | 2011-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102412220A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 右田达夫;江泽弘和;山下创一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘薇;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
多个焊料凸起，其在半导体基板上以小于等于40μm的节距并列的多个电极衬垫上经由凸起下金属分别与相应的电极衬垫电连接；
其中，上述焊料凸起的距离上述半导体基板最远的部分的直径(顶部直径)与该焊料凸起的底边的直径(底部直径)的比值是1∶1～1∶4。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述比值是1∶1～1∶3。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述焊料凸起是Ni、Cu、Au、Sn、Ag、Pb、Cr或其组合。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述凸起下金属是Cu膜或者Cu和Ti的叠层膜。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，上述焊料凸起的底边和该焊料凸起的侧面在该焊料凸起侧形成的角度是45度～90度。
6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述焊料凸起是Ni、Cu、Au、Sn、Ag、Pb、Cr或其组合。
7.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，上述凸起下金属是Cu膜或者Cu和Ti的叠层膜。
8.一种半导体装置，其特征在于，具备：
多个焊料凸起，其在半导体基板上以小于等于40μm的节距并列的多个电极衬垫上经由凸起下金属分别与相应的电极衬垫电连接；
其中，上述焊料凸起的底边和该焊料凸起的侧面在该焊料凸起侧形成的角度是45度～90度。
9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，上述角度是55度～90度。
10.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，上述焊料凸起是Ni、Cu、Au、Sn、Ag、Pb、Cr或其组合。
11.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，上述凸起下金属是Cu膜或者Cu和Ti的叠层膜。
12.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，上述焊料凸起的距离上述半导体基板最远的部分的直径(顶部直径)和该焊料凸起的底边的直径(底部直径)的比值是1∶1～1∶4。
13.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，上述焊料凸起是Ni、Cu、Au、Sn、Ag、Pb、Cr或其组合。
14.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，上述凸起下金属是Cu膜或者Cu和Ti的叠层膜。
15.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
在形成有以小于等于40μm的节距并列的多个电极衬垫和在该电极衬垫上层叠的凸起下金属的半导体基板上形成抗蚀剂膜，并以比在与上述抗蚀剂膜的表面垂直的方向曝光为直线形状的焦距值大的第1焦距值进行曝光。
16.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，进一步以曝光宽度比通过上述曝光而成为可溶性的上述抗蚀剂膜的凸起形状部分的距离上述半导体基板最远的部分的直径(顶部直径)大且比该凸起形状部分的底面的直径(底部直径)小的直线形状的第2焦距值进行曝光。
17.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述抗蚀剂膜是正性型抗蚀剂。
18.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述抗蚀剂膜为负性型抗蚀剂。
19.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述凸起下金属通过溅射法、CVD法、ALD(原子层沉积)法或电镀法形成。
20.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，上述凸起下金属是Cu膜或者Cu和Ti的叠层膜。
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