[发明专利]倒装薄膜太阳能电池的制作方法无效

专利信息
申请号: 201110271236.5 申请日: 2011-09-14
公开(公告)号: CN102299210A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 王荣新;李晓伟;曾春红;张宝顺;杨辉 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 陈忠辉
地址: 215125 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明揭示了一种倒装薄膜太阳能电池的制备方法,在半导体的第一衬底上沉积牺牲层,在牺牲层上生长太阳能电池外延层;然后在外延层的表面和第二衬底的表面分别制备键合/粘附结构层,通过键合方式/粘合方式贴附在一起;最后选择性去除牺牲层,把第一衬底剥离,形成第二衬底上的倒装型结构太阳电池,同时剥离掉的半导体第一衬底可以重复利用。本发明方法可以降低生产成本,改善电池工作状态下的散热性能,提高太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 倒装 薄膜 太阳能电池 制作方法
【主权项】:
倒装薄膜太阳能电池的制备方法,其特征在于包括如下步骤:步骤1:利用金属有机物化学气相沉积法,在半导体的第一衬底上生长牺牲层,所述牺牲层为III‑V族元素组成的单元、两元、三元或四元化合物;步骤2:在上述牺牲层上生长太阳能电池结构外延层,所述外延层为由Ⅲ‑Ⅴ族化合物组成的含有一个以上光伏单元的薄膜;步骤3:采用物理或化学的方法,在上述外延层的表面和第二衬底的表面分别制备键合/粘附层;步骤4:将带有键合/粘附层的外延层以倒装方式键合或粘合连接到第二衬底的表面;步骤5:选择性地去除牺牲层,把第一衬底剥离,在第二衬底上形成倒装结构的太阳能电池。
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