[发明专利]金属互连结构形成方法无效
| 申请号： | 201110270171.2 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN102368477A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属互连结构形成方法，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积介电层，该介电层从半导体衬底往上依次包括刻蚀阻挡层与金属间介质层；刻蚀所述金属间介质层停止于刻蚀阻挡层，以在金属间介质层上定义通孔图案；利用光刻胶定义顶层金属图案；刻蚀金属间介质层与刻蚀阻挡层，以形成顶层金属沟槽及通孔；在所述顶层金属沟槽及通孔内填充金属，以形成金属互连结构。利用以上方法可以在工艺中去掉涂覆抗反射涂层(BARC)和BARC蚀刻的工艺步骤，避免了由于BARC填充质量的好坏带来的缺陷问题，同时由于工艺步骤的减少使得成本可以得到较好的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种金属互连结构形成方法，其特征是，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积介电层，该介电层从半导体衬底往上依次包括刻蚀阻挡层与金属间介质层；刻蚀所述金属间介质层停止于刻蚀阻挡层，以在金属间介质层上定义通孔图案；利用光刻胶定义顶层金属图案；刻蚀金属间介质层与刻蚀阻挡层，以形成顶层金属沟槽及通孔；在所述顶层金属沟槽及通孔内填充金属，以形成金属互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
