[发明专利]金属互连结构形成方法

权利要求书

1.一种金属互连结构形成方法，其特征是，包括：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底上沉积介电层，该介电层从半导体衬底往上依次包括刻蚀阻挡层与金属间介质层；

刻蚀所述金属间介质层停止于刻蚀阻挡层，以在金属间介质层上定义通孔图案；

利用光刻胶定义顶层金属图案；

刻蚀金属间介质层与刻蚀阻挡层，以形成顶层金属沟槽及通孔；

在所述顶层金属沟槽及通孔内填充金属，以形成金属互连结构。

2.根据权利要求1所述的金属互连结构形成方法，其特征是，所述刻蚀阻挡层与金属间介质层材质相同，由同一沉积过程形成。

3.根据权利要求2所述的金属互连结构形成方法，其特征是，在刻蚀所述金属间介质层停止于刻蚀阻挡层，以在金属间介质层内定义通孔图案的过程中，根据要形成的通孔的深度，在后续刻蚀过程中保留相应厚度的介电层作为刻蚀阻挡层。

4.根据权利要求1所述的金属互连结构形成方法，其特征是，刻蚀所述金属间介质层停止于刻蚀阻挡层，以在金属间介质层内定义通孔图案的步骤包括：

在所述金属间介质层上形成光刻胶；

对光刻胶进行曝光显影，以于其上定义出通孔图案；

刻蚀所述金属间介质层停止于刻蚀阻挡层，在金属间介质层内形成孔洞，从而定义出通孔图案。

5.根据权利要求1所述的金属互连结构形成方法，其特征是，所述刻蚀阻挡层厚度大于5nm且小于10nm。

6.根据权利要求1所述的金属互连结构形成方法，其特征是，在刻蚀金属间介质层与刻蚀阻挡层，以形成顶层金属沟槽及通孔的过程中，所述顶层金属沟槽及通孔是在同一刻蚀工艺中同时形成的。

7.根据权利要求1所述的金属互连结构形成方法，其特征是，所述刻蚀阻挡层的材质为氮硅化物或炭氮硅化物。