[发明专利]沟槽式功率金氧半场效晶体管的制作方法

摘要

一种沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，首先，形成一图案层于一基材上；然后，透过此图案层蚀刻基材，以形成栅极沟槽于基材内；接下来，以氧化方式形成一第一氧化层于栅极沟槽内，以扩大栅极沟槽的宽度；在移除第一氧化层后，形成一栅极氧化层于栅极沟槽的内侧表面；随后，透过图案层蚀刻栅极沟槽的底部，以形成一开口贯穿栅极氧化层；然后，形成一厚氧化层于此开口内；接下来，以离子注入方式形成二个第一重掺杂区于厚氧化层的两侧，以防止环绕本体区扩散至栅极沟槽的底部。本发明可以增加栅极与漏极间的绝缘层的厚度，以降低栅极对漏极的电容，改善切换损失。

主权项

一种沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，至少包括下列步骤：形成一图案层于一基材上，该图案层具有一第一开口以定义一栅极沟槽于该基材内；透过该图案层蚀刻该基材，以形成该栅极沟槽；以氧化方式形成一第一氧化层于该栅极沟槽内，该第一氧化层至少覆盖该栅极沟槽的侧壁；移除该第一氧化层，以扩大该栅极沟槽的宽度；形成一栅极氧化层于该栅极沟槽的内侧表面；以非等向性蚀刻技术透过该图案层蚀刻该栅极沟槽的底部，以形成一第二开口裸露该基材；形成一厚氧化层于该第二开口内；以及以离子注入方式，形成二个第一重掺杂区于该厚氧化层的两侧，以防止环绕该栅极沟槽的一本体区扩散至该栅极沟槽的底部。