[发明专利]沟槽式功率金氧半场效晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，至少包括下列步骤：

形成一图案层于一基材上，该图案层具有一第一开口以定义一栅极沟槽于该基材内；

透过该图案层蚀刻该基材，以形成该栅极沟槽；

以氧化方式形成一第一氧化层于该栅极沟槽内，该第一氧化层至少覆盖该栅极沟槽的侧壁；

移除该第一氧化层，以扩大该栅极沟槽的宽度；

形成一栅极氧化层于该栅极沟槽的内侧表面；

以非等向性蚀刻技术透过该图案层蚀刻该栅极沟槽的底部，以形成一第二开口裸露该基材；

形成一厚氧化层于该第二开口内；以及

以离子注入方式，形成二个第一重掺杂区于该厚氧化层的两侧，以防止环绕该栅极沟槽的一本体区扩散至该栅极沟槽的底部。

2.如权利要求1所述的沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，在形成该图案层的步骤后，更包括形成一第一间隔层结构于该图案层的该第一开口内，该栅极沟槽以该图案层与该第一间隔层结构为蚀刻屏蔽，形成于该基材内。

3.如权利要求2所述的沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，该第二开口的宽度对应于该第一间隔层结构于该第一开口内所定义出的一第三开口的宽度。

4.如权利要求1所述的沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，形成该第二开口的步骤后且形成该厚氧化层的步骤前，更包括于该第二开口下方形成一窄沟槽，该窄沟槽的开口宽度对应于该第二开口的宽度。

5.如权利要求4所述的沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，形成该第一重掺杂区的步骤于形成该第二开口的步骤前，形成一重掺杂区于该栅极沟槽下方的该基材内，并且，该窄沟槽贯穿该重掺杂区，以形成该第一重掺杂区于该窄沟槽的两侧。

6.如权利要求1所述的沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，形成该第一重掺杂区的步骤包括于形成该第二开口的步骤前，形成一重掺杂区于该栅极沟槽下方的该基材内，并且，该厚氧化层以湿式氧化方式，形成于该第二开口内以贯穿该重掺杂区，以形成该第一重掺杂区于该厚氧化层的两侧。

7.如权利要求1所述的沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，该第一氧化层的厚度大于该栅极氧化层的厚度。

8.如权利要求2所述的沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，该第一重掺杂区于形成该厚氧化层的步骤后，以斜向离子注入方式，形成于该栅极沟槽的底部下方。

9.如权利要求1所述的沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，在形成该第二开口的步骤后，更包括以蚀刻方式，扩大该图案层的该第一开口的宽度，以裸露该栅极沟槽的整个开口，其特征在于，该图案层的构成材料与该栅极氧化层不同。

10.如权利要求2所述的沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，在形成该第二开口的步骤后，更包括移除该第一间隔层结构，以裸露该栅极沟槽的整个开口。

11.如权利要求1所述的沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，在形成该些第一重掺杂区的步骤后，更包括：

形成一栅极多晶硅结构于该栅极沟槽内；

形成一介电结构于该栅极多晶硅结构上方，该介电结构位于该第一开口内；以及

形成一第二间隔层结构于该介电结构的侧边，以定义二个源极掺杂区于该栅极沟槽的两侧。

12.如权利要求1所述的沟槽式功率金氧半场效晶体管的制造方法，其特征在于，在形成该些第一重掺杂区的步骤后，更包括：

形成一栅极多晶硅结构于该栅极沟槽内；

形成一介电结构于该栅极多晶硅结构上方；

以该介电结构为屏蔽，蚀刻该基材以使该介电结构凸出于该基材的一上表面；以及

形成二个第三间隔层结构于该介电结构的两侧，以定义二个源极掺杂区于该栅极沟槽的两侧。