[发明专利]去除超级结高压器件外延沉积过程中产生的硅脊的方法有效
| 申请号： | 201110267044.7 | 申请日： | 2011-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN103000519A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 钱志刚;程晓华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种去除超级结高压器件外延沉积过程中产生的硅脊的方法，包括如下步骤：1)在硅片表面淀积一层氧化膜和/或氮化膜；2)在硅片上刻蚀一个深沟槽；3)以单晶硅或多晶硅填充所述深沟槽；4)采用化学机械研磨工艺对硅片表面进行平坦化处理，以所述氧化膜和/或氮化膜作为研磨阻挡层；5)采用刻蚀工艺将深沟槽两侧的氧化膜和/或氮化膜部分回刻，以使硅脊露出；6)采用刻蚀工艺将此硅脊刻蚀去除。本发明能达到去除在外延过程中由于引入刻蚀性气体而在氧化层中所造成的底部切口中的单晶硅的目的，为后续的栅极多晶硅和栅极氧化层沉积提供了良好的表面形貌，从而可避免硅脊对后续的工艺产生影响，避免影响器件的某些电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 超级 高压 器件 外延 沉积 过程 产生 方法 | ||
【主权项】：
一种去除超级结高压器件外延沉积过程中产生的硅脊的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在硅片表面淀积一层氧化膜和/或氮化膜；2)在硅片上刻蚀一个深沟槽；3)以单晶硅或多晶硅填充所述深沟槽；4)采用化学机械研磨工艺对硅片表面进行平坦化处理，以所述氧化膜和/或氮化膜作为研磨阻挡层；5)采用刻蚀工艺将深沟槽两侧的氧化膜和/或氮化膜部分回刻，以使硅脊露出；6)采用刻蚀工艺将此硅脊刻蚀去除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110267044.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
