[发明专利]去除超级结高压器件外延沉积过程中产生的硅脊的方法

权利要求书

1.一种去除超级结高压器件外延沉积过程中产生的硅脊的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在硅片表面淀积一层氧化膜和/或氮化膜；

2)在硅片上刻蚀一个深沟槽；

3)以单晶硅或多晶硅填充所述深沟槽；

4)采用化学机械研磨工艺对硅片表面进行平坦化处理，以所述氧化膜和/或氮化膜作为研磨阻挡层；

5)采用刻蚀工艺将深沟槽两侧的氧化膜和/或氮化膜部分回刻，以使硅脊露出；

6)采用刻蚀工艺将此硅脊刻蚀去除。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中，所述氧化膜和/或氮化膜的厚度为1000～1500埃，其采用LPCVD工艺、或PECVD工艺淀积。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，所述深沟槽的深度为10～100μm，宽度为1～10μm；所述深沟槽采用干法刻蚀工艺刻蚀。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)中，所述深沟槽的填充采用单晶硅外延生长工艺；或者所述深沟槽的填充采用LPCVD工艺淀积多晶硅；或者所述深沟槽的填充是先在硅片表面外延生长一层单晶硅，再以LPCVD工艺填充多晶硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)中，至少将所述填充深沟槽的单晶硅或多晶硅研磨至与所述氧化膜和/或氮化膜的上表面齐平，所述填充深沟槽的单晶硅或多晶硅的上表面等于或低于所述氧化膜和/或氮化膜的上表面。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5)中，所述的氧化膜和/或氮化膜回刻工艺为湿法刻蚀工艺，所述刻蚀药液为对氧化膜和氮化膜都具有刻蚀性的药液，刻蚀掉的氧化膜和/或氮化膜的厚度为400～900埃，剩余的氧化膜和/或氮化膜的厚度为600～800埃。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述刻蚀药液为缓冲氢氟酸，该缓冲氢氟酸药液的浓度为0.01％-20％；所述氮化膜的刻蚀时间比氧化膜长50～100％。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述缓冲氢氟酸药液的浓度为0.5-15％。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6)中，所述的硅刻蚀工艺为湿法或干法刻蚀工艺，刻蚀掉的硅外延厚度为500～2000埃。