[发明专利]中频磁控溅射镀膜装置无效
| 申请号： | 201110262076.8 | 申请日： | 2011-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102978577A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;黄登聪;彭立全 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种中频磁控溅射镀膜装置，其包括一反应室、位于反应室中央的一转架及设置于反应室腔壁与转架之间的至少一对靶材，每对靶材于反应室内均相应配置有一内衬板及至少一外挡板，该至少一外挡板为可移动的，当该至少一外挡板移动至靶材与转架之间时，所述一对靶材容置于该至少一外挡板和该内衬板所形成的空间内，以防止靶材原子于洗靶时溅射至转架上。本发明中频磁控溅射镀膜装置可使洗靶与真空镀膜能同炉完成，大幅提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 中频 磁控溅射 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
一种中频磁控溅射镀膜装置，其包括一反应室、位于反应室中央的一转架及设置于反应室腔壁与转架之间的至少一对靶材，其特征在于：每对靶材于反应室内均相应配置有一内衬板及至少一外挡板，该内衬板邻近反应室的部分腔壁设置，该至少一外挡板为可移动的，当该至少一外挡板移动至靶材与转架之间时，所述一对靶材容置于该至少一外挡板和该内衬板所形成的空间内，以防止靶材原子于洗靶时溅射至转架上。
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