[发明专利]中频磁控溅射镀膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种中频磁控溅射镀膜装置。

背景技术

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)镀膜过程中，需向镀膜装置的镀膜室内通入溅射气体(如氩气)，有时还需向镀膜室内通入反应气体(如氮气，甲烷等)，以使反应气体与被溅射出来的靶材原子反应生成化合物沉积于基材上。为了获得特定颜色(如极度黑色，极度白色)等，通入镀膜室的反应气体的量往往很大，超出正常反应所需要的量。此时由于反应气体的量较大，会在靶材表面反应生成化合物，影响靶材的正常溅射，造成靶材溅射率大幅下降，这就是靶材的“中毒”。针对靶材“中毒”现象，通常做法是在下一次镀膜之前，对靶材进行“洗靶”，也就是在真空状态下，通入氩气将靶材表面的化合物溅射掉。

对于中频磁控溅射镀膜装置，靶材必须为对靶设置，当靶材电源开启后两个靶材互为阴阳极。请参阅图1，现有的中频磁控溅射镀膜装置200包括一镀膜室201，该镀膜室内设置有相对设置的二靶材203，所述靶材203为圆柱靶。二靶材203靠近镀膜室201腔壁的一侧分别设置有一第一挡板205，二靶材203远离镀膜室201腔壁的一侧分别设置有一第二挡板207，第一挡板205为固定的，第二挡板207为可移动的。关闭二第二挡板207，所述每一靶材203就被封闭于第一挡板205和第二挡板207围成的空间内。

洗靶时，需先关闭镀膜室201并对镀膜室201进行抽真空，此时镀膜室201内未放置有基材(未图示)；达到一定的真空度后，向镀膜室201通入氩气并开启二靶材203的电源，此时二靶材203的第二挡板207必须打开以使二靶材203的电源能导通互为阴阳极，氩气等离子体轰击二靶材203，使二靶材203表面的物质被溅射掉，达到洗靶的目的；洗靶完成后，打开镀膜室201并将基材放入镀膜室201，再对镀膜室201进行抽真空以及镀膜。如此，洗靶与镀膜不能同炉完成，需对镀膜室201进行两次抽真空，大幅降低了生产效率。

发明内容

有鉴于此，提供一种洗靶与镀膜能同炉完成的中频磁控溅射镀膜装置。

一种中频磁控溅射镀膜装置，其包括一反应室、位于反应室中央的一转架及设置于反应室腔壁与转架之间的至少一对靶材，每对靶材于反应室内均相应配置有一内衬板及至少一外挡板，该内衬板邻近反应室的部分腔壁设置，该至少一外挡板为可移动的，当该至少一外挡板移动至靶材与转架之间时，所述一对靶材容置于该至少一外挡板和该内衬板所形成的空间内，以防止靶材原子于洗靶时溅射至转架上。

一种中频磁控溅射镀膜装置，其包括一反应室、位于反应室中央的一转架，该中频磁控溅射镀膜装置还包括一内衬板及至少一外挡板，该内衬板邻近反应室的部分腔壁设置，该至少一外挡板可移动地设置于反应室内，当每一外挡板移动至靠近所述转架时，该至少一外挡板与内衬板之间对应形成一容纳空间，用以容纳一对靶材防止靶材原子于洗靶时溅射至转架上。

本发明中频磁控溅射镀膜装置通过设置内衬板及与内衬板相配合设置的可移动的外挡板，使洗靶与真空镀膜能同炉完成，大幅提高了生产效率。

附图说明

图1为现有的镀膜装置的中频磁控溅射镀膜装置的剖面示意图；

图2为本发明第一较佳实施例的中频磁控溅射镀膜装置的剖面示意图；

图3为本发明第一较佳实施例的中频磁控溅射镀膜装置的另一状态的剖面示意图；

图4为本发明第二较佳实施例的中频磁控溅射镀膜装置的剖面示意图；

图5为本发明第二较佳实施例的中频磁控溅射镀膜装置的另一状态的剖面示意图。

主要元件符号说明