[发明专利]薄膜晶体管阵列面板无效
| 申请号： | 201110259413.8 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102544026A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 崔永株;李禹根;尹甲洙;金己园;陈尚完;宋栽沅;朱迅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： |
本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板。该薄膜晶体管阵列面板包括：绝缘基板；栅线，设置在绝缘基板上并具有栅电极；第一栅绝缘层，设置在栅线上且由硅氮化物制成；第二栅绝缘层，设置在第一栅绝缘层上且由硅氧化物制成；氧化物半导体，设置在第二栅绝缘层上；数据线，设置在氧化物半导体上且具有源电极；漏电极，设置在氧化物半导体上且面对源电极；以及像素电极，连接到漏电极。第二栅绝缘层的厚度可以在从200 |
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| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；栅线，设置在所述基板上且包括栅电极；第一栅绝缘层，设置在所述栅线上且包括硅氮化物；第二栅绝缘层，设置在所述第一栅绝缘层上且包括硅氧化物；氧化物半导体，设置在所述第二栅绝缘层上；数据线，设置在所述氧化物半导体上且包括源电极；漏电极，设置在所述氧化物半导体上且面对所述源电极；以及像素电极，连接到所述漏电极，其中所述第二栅绝缘层的厚度大于或等于200![]()
且小于500![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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