[发明专利]薄膜晶体管阵列面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

基板；

栅线，设置在所述基板上且包括栅电极；

第一栅绝缘层，设置在所述栅线上且包括硅氮化物；

第二栅绝缘层，设置在所述第一栅绝缘层上且包括硅氧化物；

氧化物半导体，设置在所述第二栅绝缘层上；

数据线，设置在所述氧化物半导体上且包括源电极；

漏电极，设置在所述氧化物半导体上且面对所述源电极；以及

像素电极，连接到所述漏电极，

其中所述第二栅绝缘层的厚度大于或等于200且小于500

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述第二栅绝缘层的厚度为300

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述第一栅绝缘层的厚度在从2000至5000的范围。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述第二栅绝缘层和所述氧化物半导体的平面形状和边界彼此相同。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括沟道钝化层，该沟道钝化层设置在所述氧化物半导体的在所述源电极与所述漏电极之间的暴露部分上。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括设置在所述沟道钝化层上的钝化层。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述沟道钝化层包括硅氧化物，所述钝化层包括硅氮化物。

8.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中所述第二栅绝缘层设置在所述第一栅绝缘层的整个表面上。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括第一钝化层，该第一钝化层设置在所述源电极、所述漏电极以及所述氧化物半导体的在所述源电极与所述漏电极之间的暴露氧化物部分上。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括设置在所述第一钝化层上的第二钝化层，

其中所述第一钝化层包括硅氧化物，所述第二钝化层包括硅氮化物。