[发明专利]薄膜晶体管阵列面板

说明书

技术领域

本发明的示范实施方式涉及薄膜晶体管阵列面板。更具体地，本发明涉及具有氧化物半导体的薄膜晶体管阵列面板。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)可以用作开关元件，用于独立地驱动例如液晶显示器或有机发光二极管显示器的平板显示器中的像素。平板显示器中的薄膜晶体管阵列面板可以包括薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的像素电极、传输栅信号到薄膜晶体管的栅线以及传输数据信号的数据线。

薄膜晶体管可以包括：连接到栅线的栅电极；连接到数据线的源电极；连接到像素电极的漏电极；以及半导体层，设置在栅电极上且位于源电极与漏电极之间以形成薄膜晶体管的沟道。根据来自栅线的栅信号，数据信号可以从数据线传输到像素电极。薄膜晶体管的半导体层可以由多晶硅、非晶硅或氧化物半导体形成。

半导体层可以由氧化物半导体形成，使得栅绝缘层具有双层。接触氧化物半导体的栅绝缘层可以由硅氧化物形成。

与硅氮化物层处理时间相比较，相对厚的硅氧化物层可以具有慢的CVD沉积速率并且可以通过干蚀刻来处理，这会导致非常长的处理时间。

发明内容

本发明的示范实施方式提供了具有纤薄轮廓(slim profile)的硅氧化物层的薄膜晶体管。

本发明的示范实施方式还提供了薄膜晶体管阵列面板的易做到的(facile)制造时间而没有薄膜晶体管的特性的劣化。

本发明的示范实施方式公开了一种薄膜晶体管阵列面板，该薄膜晶体管阵列面板包括：基板；栅线，设置在基板上且包括栅电极；第一栅绝缘层，设置在栅线上且包括硅氮化物；第二栅绝缘层，设置在第一栅绝缘层上且包括硅氧化物；氧化物半导体，设置在第二栅绝缘层上；数据线，设置在氧化物半导体上且包括源电极；漏电极，设置在氧化物半导体上且面对源电极；以及像素电极，连接到漏电极。第二栅绝缘层的厚度大于或等于200且小于500

应当理解，以上的一般描述和随后的详细描述都是示范性的和说明性的并且旨在提供对所要求的本发明的进一步解释。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入本说明书中及构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施方式并与描述一起用于解释本发明的原理。

图1为根据本发明第一示范实施方式的薄膜晶体管阵列面板的布局图。

图2为沿图1的线II-II截取的截面图。

图3为根据本发明第二示范实施方式的薄膜晶体管阵列面板的布局图。

图4为沿图3的线IV-IV截取的截面图。

图5为示出根据示例1、示例2、比较例1、比较例2、比较例3和比较例4的薄膜晶体管的特性的图形。

图6为示出根据示例3和比较例1的薄膜晶体管的电特性的图形。

图7为示出根据示例3和比较例1的薄膜晶体管的Id-Vd曲线的图形。

图8为示出根据示例3和比较例1的薄膜晶体管的输出曲线的图形。

图9为示出根据示例3和比较例1的薄膜晶体管的NBIS特性的图形。

图10为示出液晶面板的Von驱动特性的图形，该液晶面板包括根据示例3和比较例1的薄膜晶体管阵列面板。

图11为示出液晶面板的亮度变化的图形，该液晶面板包括根据示例3和比较例1的薄膜晶体管阵列面板。

具体实施方式

在下文参照附图更全面地描述本发明，附图中示出了本发明的实施方式。然而，本发明可以以许多不同的形式实施而不应解释为限于这里阐述的实施方式。然而，提供这些实施方式使得本公开彻底并将本发明的范围完全地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚可以放大层和区域的尺寸和相对尺寸。附图中相似的附图标记表示相似的元件。

将理解，当一元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上，或者直接连接到或直接耦接到另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当一元件被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或者“直接耦接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。

图1为示出根据本发明示范实施方式的薄膜晶体管阵列面板的布局图，图2为沿图1的II-II线截取的截面图。

如图1和图2所示，传输栅信号的多条栅线121形成在绝缘基板110上，该绝缘基板110可以由透明玻璃或塑料制成。栅线121在水平方向上延伸并包括栅电极124。