[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201110256133.1 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102386160A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 右田达夫;江泽弘和;山下创一;永岭公朗;宫田雅弘;盐月龙夫;村西清 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开一种半导体装置及半导体装置的制造方法。根据实施例，设置半导体基板、金属膜、表面改性层和再布线。半导体基板上形成了布线及焊盘电极。金属膜在所述半导体基板上形成。表面改性层在所述金属膜的表层形成，提高与光刻胶图形的贴紧性。再布线隔着所述表面改性层在所述金属膜上形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：形成了布线及焊盘电极的半导体基板；在所述半导体基板上形成的金属膜；在所述金属膜的表层形成的表面改性层；隔着所述表面改性层在所述金属膜上形成的再布线。
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