[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

形成了布线及焊盘电极的半导体基板；

在所述半导体基板上形成的金属膜；

在所述金属膜的表层形成的表面改性层；

隔着所述表面改性层在所述金属膜上形成的再布线。

2.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属膜的下层为选择Ti、TiN、TiW、W、Ta、Cr、CoTi中的一个、所述金属膜的上层为选择Cu、Al、Pd、Au、Ag中的一个的层叠构造，所述表面改性层为Cu氧化膜。

3.一种半导体装置，其特征在于，具备：

在所述再布线上形成的表面层。

4.权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述再布线的材料为Cu，所述表面层的材料为从Mn、Ta、Ni、Zn、Cr、Co、Sn及Pb中选择的至少一个。

5.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述半导体基板形成了集成电路。

6.权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具备：

以覆盖所述布线及焊盘电极的方式在所述半导体基板上形成的保护膜；

在所述保护膜形成的、使所述焊盘电极露出的第1开口部；

在所述保护膜形成的、使所述布线的一部分露出的第2开口部。

7.权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，具备：

在所述保护膜上形成的第1缓冲层；

在所述第1缓冲层形成的、经由所述第1开口部使所述焊盘电极露出的第3开口部；

在所述第1缓冲层形成的、经由所述第2开口部使所述布线的一部分露出的第4开口部。

8.权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述保护膜是无机绝缘体，所述第1缓冲层是树脂。

9.权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述树脂从聚酰亚胺系树脂、丙烯酸系树脂及苯酚系树脂中选择。

10.权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属膜具备在所述第1缓冲层和所述再布线之间形成的第1基底阻挡金属膜。

11.权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述再布线具备：

经由所述第1开口部及所述第3开口部与所述焊盘电极连接的第1再布线；

经由所述第2开口部及所述第4开口部与所述焊盘电极连接的第2再布线；

在所述第1缓冲层上形成的第3再布线。

12.权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，具备：

在所述第1再布线、所述第2再布线及所述第3再布线上形成的第2缓冲层；

在所述第2缓冲层形成的、使所述第1再布线露出的第5开口部。

13.权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

经由所述第5开口部与所述第1再布线连接的突出电极。

14.权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

所述突出电极是合金焊接层组成的。

15.权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属膜还具备在所述第2缓冲层和所述突出电极之间形成的第2基底阻挡金属膜。

16.权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2缓冲层是树脂。

17.权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，

所述树脂从聚酰亚胺系树脂、丙烯酸系树脂及苯酚系树脂中选择。

18.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

在形成了布线及焊盘电极的半导体基板上形成金属膜的工序；

在所述金属膜上形成相对于达到与所述金属膜的界面为止的365nm的波长的光，吸光度为80％以下的光刻胶图形的工序；

在所述金属膜上形成埋入所述光刻胶图形间的再布线的工序；

所述再布线形成后从所述金属膜上除去所述光刻胶图形的工序。