[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

关联申请的参照

本申请享受2010年9月3日申请的日本专利申请编号2010-198379及2010年9月22日申请的日本专利申请编号2010-212184的优先权，该日本国专利申请的全部内容在本申请中援用。

技术领域

一般地说，本实施例涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

为了实现半导体装置的高集成化和高功能化，要求动作速度的提高和存储器的大容量化。相应地，在半导体基板上的再布线形成过程中，也要求10μm间距以下的微细的再布线。

再布线的间距若微细化，则用于形成再布线图形的光刻胶图形和其基底的贴紧性减少，在光刻胶显影时等引起光刻胶剥离。

发明内容

根据实施例，设置半导体基板、金属膜、表面改性层和再布线。半导体基板上形成了布线及焊盘电极。金属膜在所述半导体基板上形成。表面改性层在所述金属膜的表层形成，提高与光刻胶图形的贴紧性。再布线隔着所述表面改性层在所述金属膜上形成。

附图说明

图1(a)～(e)是第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图。

图2(a)～(d)是第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图。

图3(a)～(c)是第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图。

图4(a)～(b)是第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图。

图5(a)～(b)是第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图。

图6(a)～(b)是第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图。

图7是第1实施例的吸光度不同的光刻胶A、B的表面和底面的曝光量的关系示图。

图8(a)～(e)是第3实施例的半导体装置的制造方法的截面图。

图9(a)～(d)是第3实施例的半导体装置的制造方法的截面图。

图10(a)～(c)是第3实施例的半导体装置的制造方法的截面图。

图11(a)～(b)是第3实施例的半导体装置的制造方法的截面图。

图12(a)～(b)是第3实施例的半导体装置的制造方法的截面图。

图13(a)～(b)是第3实施例的半导体装置的制造方法的截面图。

具体实施方式

以下，参照图面说明实施例的半导体装置及半导体装置的制造方法。另外，这些实施例不限定本发明。

(第1实施例)

图1(a)～(e)、图2(a)～(d)、图3(a)～(c)、图4(a)～(b)、图5(a)～(b)及图6(a)～(b)是第1实施例的半导体装置的制造方法的截面图。

图1(a)中，在基体材料层1上形成焊盘电极2a及布线2b的同时，以覆盖焊盘电极2a及布线2b的方式形成保护膜3。另外，在保护膜3形成使焊盘电极2a露出的开口部3a及使布线2b的一部分露出的开口部3b。

另外，作为基体材料层1，例如，可以采用形成了逻辑电路或DRAM等的集成电路的半导体基板。另外，焊盘电极2a及布线2b的材料例如可以采用以Al或Al为主要成分的金属。另外，保护膜3的材料例如可以采用硅氧化膜或硅酸氮化膜或硅氮化膜等的无机绝缘体。

接着，如图1(b)所示，通过在保护膜3上涂覆感光性树脂等，在保护膜3上形成缓冲层4。另外，作为缓冲层4的材料，例如可以采用聚酰亚胺系树脂。为了减少晶片应力，也可以采用硬化温度比聚酰亚胺系树脂低的丙烯酸系树脂或苯酚系树脂。

接着，如图1(c)所示，采用光刻技术，在缓冲层4形成使焊盘电极2a及布线2b的一部分分别露出的开口部4a、4b。

接着，如图1(d)所示，通过采用溅射、电镀、CVD、ALD或蒸镀等的方法，在焊盘电极2a、布线2b、保护膜3及缓冲层4上形成金属膜5。另外，作为金属膜5，可以采用基底阻挡金属膜5，例如可以采用Ti和其上的Cu的层叠构造。另外，也可以取代Ti，采用TiN、TiW、W、Ta、Cr、Co等的材料。也可以取代Cu，采用Al、Pd、Au、Ag等的材料。

接着，如图1(e)所示，通过旋涂等的方法在金属膜5上形成光刻胶膜6。另外，光刻胶膜6相对于达到与金属膜5的界面(以下，称为基底界面)为止的光，设定成吸光度在80％以下。另外，本发明的吸光度设为用i线波长(365nm)的曝光装置测定的值。另外，光刻胶膜6的膜厚度可设定在1～50μm的范围内。