[发明专利]氮化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110255497.8 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102694019A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 吉冈启;齐藤泰伸;藤本英俊;大野哲也;斋藤涉;杉山亨 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供氮化物半导体器件及其制造方法。氮化物半导体器件具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第1绝缘膜和第2绝缘膜。第2半导体层设置在第1半导体层之上。第2半导体层包含具有比第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体。第2半导体层具有孔部。第1电极设置在孔部内。第2电极设置在第2半导体层之上。第3电极在第2半导体层之上，在第2电极之间夹着第1电极地设置，与第2半导体层电连接。第1绝缘膜是含有氧的膜。第1绝缘膜设置在第1电极和孔部的内壁之间及第1电极和第2电极之间，与第3电极分离设置。第2绝缘膜是含有氮的膜。第2绝缘膜在第1电极和第3电极之间与第2半导体层相接地设置。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体器件，其特征在于，具备：第1半导体层，包含氮化物半导体；第2半导体层，设置在所述第1半导体层之上，包含具有比所述第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体，并具有孔部；第1电极，设置在所述孔部内；第2电极，设置在所述第2半导体层之上，与所述第2半导体层电连接；第3电极，在所述第2半导体层之上，被设置成在该第3电极和所述第2电极之间夹着所述第1电极，并与所述第2半导体层电连接；第1绝缘膜，是含有氧的膜，设置在所述第1电极和所述孔部的内壁之间、及所述第1电极和所述第2电极之间，并与所述第3电极分离设置；及第2绝缘膜，是含有氮的膜，在所述第1电极和所述第3电极之间与所述第2半导体层相接地设置。
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