[发明专利]氮化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110255497.8 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102694019A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 吉冈启;齐藤泰伸;藤本英俊;大野哲也;斋藤涉;杉山亨 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种氮化物半导体器件，其特征在于，具备：
第1半导体层，包含氮化物半导体；
第2半导体层，设置在所述第1半导体层之上，包含具有比所述第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体，并具有孔部；
第1电极，设置在所述孔部内；
第2电极，设置在所述第2半导体层之上，与所述第2半导体层电连接；
第3电极，在所述第2半导体层之上，被设置成在该第3电极和所述第2电极之间夹着所述第1电极，并与所述第2半导体层电连接；
第1绝缘膜，是含有氧的膜，设置在所述第1电极和所述孔部的内壁之间、及所述第1电极和所述第2电极之间，并与所述第3电极分离设置；及
第2绝缘膜，是含有氮的膜，在所述第1电极和所述第3电极之间与所述第2半导体层相接地设置。
2.如权利要求1所记载的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述第1绝缘膜与所述第2半导体层相接。
3.如权利要求1所记载的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述第1电极被设置成覆盖所述第1绝缘膜的所述第3电极侧的端部。
4.如权利要求1所记载的氮化物半导体器件，其特征在于，
还具备第4电极，与所述第1电极导通，并覆盖所述第1绝缘膜的所述第3电极侧的端部。
5.如权利要求1所记载的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述第1绝缘膜包含氧化硅。
6.如权利要求1所记载的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述第2绝缘膜包含氮化硅。
7.如权利要求1所记载的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述第1半导体层包含AlXGa1-XN，其中，0≤X≤1，
所述第2半导体层包含AlYGa1-YN，其中，0≤Y≤1，X≤Y。
8.如权利要求1所记载的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述第1半导体层包括常关闭型的晶体管的沟道。
9.如权利要求1所记载的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述第1电极是晶体管的栅电极，
所述第2电极是晶体管的源电极，
所述第3电极是晶体管的漏电极。
10.一种氮化物半导体器件，其特征在于，具备：
第1半导体层，包含氮化物半导体；
第2半导体层，在所述第1半导体层之上设置于一部分，包含具有比所述第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体，并具有孔部；
第1电极，设置在所述孔部内；
第2电极，设置在所述第2半导体层之上，与所述第2半导体层电连接；
第3电极，在所述第2半导体层之上，被设置成在该第3电极和所述第2电极之间夹着所述第1电极，与所述第2半导体层电连接；
第1绝缘膜，是含有氧的膜，在所述第1电极和所述孔部的内壁之间及在所述第1电极和所述第2电极之间与所述第2半导体层相接地设置；及
第2绝缘膜，是含有氮的膜，在所述第1电极和所述第3电极之间与所述第2半导体层相接地设置。
11.如权利要求10所记载的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述第1绝缘膜包含氧化硅。
12.如权利要求10所记载的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述第2绝缘膜包含氮化硅。
13.如权利要求10所记载的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述第1半导体层包含AlXGa1-XN，其中，0≤X≤1，
所述第2半导体层包含AlYGa1-YN，其中，0≤Y≤1，X≤Y。
14.如权利要求10所记载的氮化物半导体器件，其特征在于，
所述第1半导体层包括常关闭型的晶体管的沟道。
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