[发明专利]浮栅器件及其方法有效
| 申请号： | 201110235635.6 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102376770A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 汉德瑞克斯·艾伯特·范德瓦吉特;吉多·约瑟夫·玛丽安·多曼斯;约翰·迪克·波特;陶国桥 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/11;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种非易失性浮栅器件和方法，包括相对于热处理而设置或保持阈值电压特性。关于不同实施例，浮栅器件包括其中具有杂质的多晶硅材料。杂质与多晶硅材料相互作用以在热处理期间抵制多晶硅材料的晶粒尺寸的变化，并且相对于阈值电压而设置浮栅器件电荷存储特性。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种浮栅器件，包括：衬底，具有沟道区；浮栅电介质材料，在沟道区上方；浮栅，在浮栅电介质材料上，并且包括：多晶硅材料，以及杂质，在多晶硅材料中，并且被配置为与多晶硅材料相互作用以抵制实质上热感生的多晶硅材料晶粒尺寸变化；控制栅电介质，在浮栅上；以及控制栅，在控制栅电介质上。
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