[发明专利]一种后栅极两晶体管DRAM的制造方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种后栅极两晶体管DRAM的制造方法。本发明公开了一种后栅极两晶体管DRAM的制造方法，通过功函数调节或离子注入补偿工艺，解决了FBGC2TDRAM结构的可制造性问题，即通过功函数调节或离子注入补偿工艺，以在工艺上通过自对准实现不同于常规CMOS工艺的漏栅交迭区延伸特性，且工艺简单，易于实现操作。

主权项

一种后栅极两晶体管DRAM的制造方法，采用后栅极高介电常数金属栅工艺制备的两晶体管DRAM结构至少包含一个第一晶体管和一个第二晶体管，且在第一、第二晶体管各自所包含的栅槽中均填充有样本栅，对样本栅进行回蚀后，在栅槽的底部向上依次设置有高介电层和金属氧化物介电材料层，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，于两晶体晶体管DRAM结构上旋涂光刻胶，曝光、显影后去除第一晶体管结构区域上的光刻胶，形成光阻；步骤S2，于从光阻中暴露的栅槽处进行角度倾斜离子注入工艺，对第一晶体管栅槽中的金属氧化物介电材料层靠近第一晶体管漏极的一端进行功函数调节，使第一晶体管的沟道区域中靠近漏极的区域反型成与其漏极相同的掺杂类型。