[发明专利]一种后栅极两晶体管DRAM的制造方法

权利要求书

1.一种后栅极两晶体管DRAM的制造方法，采用后栅极高介电常数金属栅工艺制备的两晶体管DRAM结构至少包含一个第一晶体管和一个第二晶体管，且在第一、第二晶体管各自所包含的栅槽中均填充有样本栅，对样本栅进行回蚀后，在栅槽的底部向上依次设置有高介电层和金属氧化物介电材料层，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，于两晶体晶体管DRAM结构上旋涂光刻胶，曝光、显影后去除第一晶体管结构区域上的光刻胶，形成光阻；

步骤S2，于从光阻中暴露的栅槽处进行角度倾斜离子注入工艺，对第一晶体管栅槽中的金属氧化物介电材料层靠近第一晶体管漏极的一端进行功函数调节，使第一晶体管的沟道区域中靠近漏极的区域反型成与其漏极相同的掺杂类型。

2.根据权利要求1所述的后栅极两晶体管DRAM的制造方法，其特征在于，第一、二晶体管栅槽底部的高介电层和金属氧化物介电材料层在填充样本栅制备，或者在样本栅回蚀之后制备。

3.根据权利要求1所述的后栅极两晶体管DRAM的制造方法，其特征在于，第一、二晶体管高介电层与其沟道之间设置有薄氧化层。

4.根据权利要求1所述的后栅极两晶体管DRAM的制造方法，其特征在于，第一晶体管的源极为P+型，其漏极为N+型，第二晶体管的源漏极均为N+型。

5.根据权利要求4所述的后栅极两晶体管DRAM的制造方法，其特征在于，角度倾斜离子注入工艺注入的离子为功函数较小的离子，如以Li、Mg、Ca、Sc、Mn、Ga、Rb、Sr、Y、Zr、Nb、In、Cs、Ba、La、Nd、Pr、Pm、Gd、Dy、Ho、Tb、Yb、Tm、Er、Lu、Hf、Ta、Pb、Fr、Ra、Ac、Th元素为基的离子。

6.根据权利要求1所述的后栅极两晶体管DRAM的制造方法，其特征在于，第一晶体管的源极为N+型，漏极为P+型，沟道为N型；第二晶体管的源漏极均为P+型，沟道为N型。

7.根据权利要求6所述的后栅极两晶体管DRAM的制造方法，其特征在于，角度倾斜离子注入工艺注入的离子为功函数较大的离子，如以B、C、Al、Ti、Cr、Ni、Ge、As、Se、Rh、Pd、Te、Re、Pt、Au、Hg、Po元素为基的离子。

8.根据权利要求1所述的后栅极两晶体管DRAM的制造方法，其特征在于，还包括：离子注入后采用绝缘衬底上的硅后栅极高介电常数金属栅工艺，完成两晶体管DRAM器件的制备；其中，第一晶体管源极与第二晶体管栅极连接，第二晶体管源极接地。

9.一种后栅极两晶体管DRAM的制造方法，采用后栅极高介电常数金属栅工艺制备的两晶体管DRAM结构至少包含一个第一晶体管和一个第二晶体管，且在第一、第二晶体管各自所包含的栅槽中均填充有样本栅，对样本栅进行回蚀后，在栅槽的底部保留薄氧化层，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，于两晶体晶体管DRAM结构上旋涂光刻胶，曝光、显影后去除第一晶体管结构区域上的光刻胶，形成光阻；

步骤S2，于从光阻中暴露的栅槽处进行角度倾斜离子注入工艺，使第一晶体管的沟道区域中靠近漏极的区域反型成与其漏极相同的掺杂类型，并激活所注入的离子。

10.根据权利要求9所述的后栅极两晶体管DRAM的制造方法，其特征在于，所述步骤S2中激活注入的离子，即采用快速热处理工艺、峰值退火工艺或闪光退火工艺以激活注入的离子。

11.根据权利要求9所述的后栅极两晶体管DRAM的制造方法，其特征在于，第一晶体管的源极为P+型，其漏极为N+型，第二晶体管的源漏极均为N+型。

12.根据权利要求11所述的后栅极两晶体管DRAM的制造方法，其特征在于，角度倾斜离子注入工艺注入的离子为以P或As元素为基的离子。

13.根据权利要求9所述的后栅极两晶体管DRAM的制造方法，其特征在于，第一晶体管的源极为N+型，漏极为P+型，沟道为N型；第二晶体管的源漏极均为P+型，沟道为N型。

14.根据权利要求13所述的后栅极两晶体管DRAM的制造方法，其特征在于，所述离子注入的离子为以B、BF₂、BF或ln为基的离子。

15.根据权利要求9所述的后栅极两晶体管DRAM的制造方法，其特征在于，还包括：离子注入后采用绝缘衬底上的硅后栅极高介电常数金属栅工艺，完成两晶体管DRAM器件的制备；其中，第一晶体管源极与第二晶体管栅极连接，第二晶体管源极接地。