[发明专利]一种FFT倒序操作存储器数据调度方法及电路

摘要

本发明公开了一种FFT倒序操作存储器数据调度方法及电路，使用两块N/2深度单端口存储器进行数据调度，充分发挥单端口存储器的面积和功耗优势，有效减少了片上存储器面积；采用统一的数据暂停信号和读后便写的读写策略，使得该设计能够等待外部数据的暂停，而不丢失数据和影响读写时序；采用固定规则的N个时钟数据延迟，有效避免了使用较大FIFO存储器实现最短延迟时间的检测逻辑。本发明具有灵活的可配置性和可扩展性，最大程度地避免了不同点数对于存储器容量和控制逻辑的依赖；与现有的倒序操作方法相比，本发明占用的资源少，可配置灵活性好，能够处理带中断暂停的连续数据流。

主权项

1.一种FFT倒序操作存储器数据调度方法，涉及第一和第二单端口存储器，具体为：定义待写入数据序列的数据个数为N＝2^m，第一单端口存储器的读地址和写地址分别为raddr1和waddr1，第二单端口存储器的读地址和写地址分别为raddr2和waddr2，inv_M()为m-1位比特地址信号倒置操作，cnt1()和cnt2()为两个m bits的计数器，记当前读的数据序号为c_num，第一组待写入数据序列直接进入初始只写模式，初始只写模式：将第一组待写入数据序列分两路并行写入第一和第二单端口存储器，两单端口存储器的写地址waddr1＝waddr2＝inv_M(cnt1[m-1:1])，写至当前点数长度模式下存储器地址最高限值时，若还有待写入的数据序列，则转至第一种交替读写模式，否则，转至清空只读模式；第一种交替读写模式：读取第一和第二单端口存储器的数据，第一和第二单端口存储器的读地址分别为k＝0，1，2，...，m-1，c_num为当前读的数据序号，将待写入数据序列分两路并行写入第一和第二单端口存储器，第一和第二单端口存储器的写地址分别为waddr1＝raddr1_pre，waddr2＝raddr2_pre，raddr1_pre为第一单端口存储器前一时钟的读地址，raddr2_pre为第二单端口存储器前一时钟的读地址；写至当前点数长度模式下存储器地址最高限值时，若还有待写入数据序列，则转移至第二种交替读写模式，否则，转至清空只读模式；第二种交替读写模式：读取第一和第二单端口存储器的数据，第一和第二单端口存储器的读地址raddr1＝raddr2＝inv_M(cnt1[M:1])，将待写入数据序列分两路并行写入第一和第二单端口存储器，第一和第二单端口存储器的写地址waddr1＝waddr2＝raddr1_pre＝raddr2_pre；写至当前点数长度模式下存储器地址最高限值时，若还有待写入数据序列，则转移至第一种交替读写模式，否则，转至清空只读模式；清空只读模式：若是从初始只写模式转移到清空只读模式，则按照第一种交替读写模式产生读地址进行只读操作；若是从第一种交替读写模式转移到清空只读模式，则按照第二种交替读写模式产生读地址进行只读操作；若是从第二种交替读写模式转移到清空只读模式，则按照第一种交替读写模式产生读地址进行只读操作。