[发明专利]一种FFT倒序操作存储器数据调度方法及电路

权利要求书

1.一种FFT倒序操作存储器数据调度方法，涉及第一和第二单端口存储器，具体为：

定义待写入数据序列的数据个数为N＝2^m，第一单端口存储器的读地址和写地址分别为raddr1和waddr1，第二单端口存储器的读地址和写地址分别为raddr2和waddr2，inv_M()为m-1位比特地址信号倒置操作，cnt1()和cnt2()为两个m bits的计数器，记当前读的数据序号为c_num，第一组待写入数据序列直接进入初始只写模式，

初始只写模式：将第一组待写入数据序列分两路并行写入第一和第二单端口存储器，两单端口存储器的写地址waddr1＝waddr2＝inv_M(cnt1[m-1:1])，写至当前点数长度模式下存储器地址最高限值时，若还有待写入的数据序列，则转至第一种交替读写模式，否则，转至清空只读模式；

第一种交替读写模式：读取第一和第二单端口存储器的数据，第一和第二单端口存储器的读地址分别为

k＝0，1，2，...，m-1，c_num为当前读的数据序号，

将待写入数据序列分两路并行写入第一和第二单端口存储器，第一和第二单端口存储器的写地址分别为waddr1＝raddr1_pre，waddr2＝raddr2_pre，raddr1_pre为第一单端口存储器前一时钟的读地址，raddr2_pre为第二单端口存储器前一时钟的读地址；写至当前点数长度模式下存储器地址最高限值时，若还有待写入数据序列，则转移至第二种交替读写模式，否则，转至清空只读模式；

第二种交替读写模式：读取第一和第二单端口存储器的数据，第一和第二单端口存储器的读地址raddr1＝raddr2＝inv_M(cnt1[M:1])，将待写入数据序列分两路并行写入第一和第二单端口存储器，第一和第二单端口存储器的写地址waddr1＝waddr2＝raddr1_pre＝raddr2_pre；写至当前点数长度模式下存储器地址最高限值时，若还有待写入数据序列，则转移至第一种交替读写模式，否则，转至清空只读模式；

清空只读模式：若是从初始只写模式转移到清空只读模式，则按照第一种交替读写模式产生读地址进行只读操作；若是从第一种交替读写模式转移到清空只读模式，则按照第二种交替读写模式产生读地址进行只读操作；若是从第二种交替读写模式转移到清空只读模式，则按照第一种交替读写模式产生读地址进行只读操作。