[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110228429.2 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931239A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 牟亮伟;黄兆兴;陈雪磊;王黎;王者伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/02;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：基底；位于所述基底上的PIP电容；其中，所述PIP电容包括：由下至上依次设置的具有下极板图案的第一多晶硅层、金属硅化物层、保护层、介质层和第二多晶硅层。所述半导体器件制造方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成第一多晶硅层、金属硅化物层和保护层；将下极板图案转移到所述第一多晶硅层、金属硅化物层和保护层中，从而形成具有下极板图案的第一多晶硅层、金属硅化物层和保护层；在所述具有下极板图案的保护层上依次形成具有下极板图案的介质层和第二多晶硅层。本发明所提供的半导体器件制造方法，可极大地提高所形成的器件上PIP电容的电容值及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的PIP电容；其中，所述PIP电容包括：由下至上依次设置的具有下极板图案的第一多晶硅层、金属硅化物层、保护层、介质层和第二多晶硅层。
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