[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110228429.2 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931239A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 牟亮伟;黄兆兴;陈雪磊;王黎;王者伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L21/02;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
基底；
位于所述基底上的PIP电容；
其中，所述PIP电容包括：由下至上依次设置的具有下极板图案的第一多晶硅层、金属硅化物层、保护层、介质层和第二多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层为第三多晶硅层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层的厚度为
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层为单层介质层或叠层介质层。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层为叠层介质层，且所述叠层介质层包括由下至上顺序排列的底层氧化硅层、中间氮化硅层和顶层氧化硅层。
6.根据权利要求1～5任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述金属硅化物层为WSi层。
7.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上依次形成第一多晶硅层、金属硅化物层和保护层；
将下极板图案转移到所述第一多晶硅层、金属硅化物层和保护层中，从而形成具有下极板图案的第一多晶硅层、金属硅化物层和保护层；
在所述具有下极板图案的保护层上依次形成具有下极板图案的介质层和第二多晶硅层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成具有下极板图案的第一多晶硅层、金属硅化物层和保护层之后，在形成具有下极板图案的介质层和第二多晶硅层之前，还包括：
在所述基底内形成源区和漏区。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述具有下极板图案的保护层上依次形成具有下极板图案的介质层和第二多晶硅层之后，还包括：
在所述基底内形成源区和漏区。
10.根据权利要求7～9任一项所述的方法，其特征在于，所形成的保护层的厚度为
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