[发明专利]抗蚀图案改善材料、形成抗蚀图案的方法以及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201110226683.9 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102455599A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 小泽美和;野崎耕司 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/04 | 分类号： | G03F7/04;G03F7/16;H01L21/312 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 吴小瑛;任晓华 |
| 地址： | 日本国神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了抗蚀图案改善材料，其含有C4-11直链链烷二醇和水。本发明还提供了用于形成抗蚀图案的方法，以及用于制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 改善 材料 形成 方法 以及 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
抗蚀图案改善材料，其包含：C4‑11直链链烷二醇；和水。
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